水林 博 | 筑波大物質:mpi金属研
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概要
関連著者
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水林 博
筑波大物質:mpi金属研
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水林 博
筑波大物質工
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谷本 久典
筑波大物質工
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谷本 久典
筑波大数理物質
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水林 博
筑波大物質
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水林 博
筑波大数理
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谷本 久典
筑波大物質
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奥田 重雄
筑波大物質
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奥田 重雄
筑波大物質工
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谷本 久典
筑波大物質エ
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喜多 英治
筑波大物理工
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境 誠司
原子力機構
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八木 信頼
筑波大物質工
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坂田 功
産総研
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山中 光之
産総研
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境 誠司
原研先端研
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山田 海成
筑波大物質工
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水林 博
筑波大・物質工
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楢本 洋
原研先端研
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鳴海 一雅
原研先端研
-
楢本 洋
原子力機構先端基礎セ
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鳴海 一雅
原子力機構先端基礎セ
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鳴海 一雅
日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター
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喜多 英治
筑波大物工
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奥田 重雄
茨城大・工
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境 誠司
筑波大物質工
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荒井 隆
筑波大学 物質工学系
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新井 秀俊
筑波大数理物質
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新井 秀俊
筑波大物質工
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河西 公美
筑波大物質工
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荒井 隆
筑波大物質
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倉持 信一
筑波大 物質工
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倉持 信一
筑波大物質工
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山本 良一
東大先端研
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鈴木 淳
横浜国大
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山本 良一
東大工
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堂山 昌男
東大工
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羽多野 毅
金材技研
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権田 俊一
電総研
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大竹 和夫
東大工
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遠藤 和弘
電総研
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羽多野 毅
東大工
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鈴木 淳史
東大工
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伊原 英雄
電総研
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山田 貴憲
筑波大物質工
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日沼 哲也
筑波大物質
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鈴木 淳史
横浜国立大学大学院環境情報研究院人工環境と情報部門
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喜多 英治
物理工学系教授
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鈴木 敬愛
東大生研
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松本 吉弘
原子力機構
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松本 吉弘
原研先端研
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楠本 洋
原研先端研
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岩瀬 彰宏
原研東海
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大塚 浩成
筑波大物質工
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松本 真人
筑波大物質工
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陸川 敦
筑波大物質工
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後藤 浩之
筑波大物質工
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小泉 大一
東大生研
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新井 隆
筑波大物質
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Kronmuller H.
MPI金属研
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Seeger A.
MPI金属研
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関 善仁
筑波大・物質工
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関 善仁
筑波大物質工
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柿原 豊彦
筑波大物質
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藤原 健二
筑波大物質
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ハオ ティン
筑波大物質
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〓 汀
筑波大物質
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Hao T.
筑波大物質
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下村 達大
筑波大物質
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石井 たみ
日本ti
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森田 昌孝
筑波大物質
著作論文
- 27p-M-2 1T-TaS_2の弾性異常
- 3a-B-1 1T-TaS_2, NbSe_3の弾性異常
- 23aTG-10 その場光照射によるC60のポリマー化の形態(ナノチューブ・グラフェンにおける欠陥,領域7,領域10合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 22aTD-7 C_薄膜の光照射によるポリマー化と弾性特性変化(格子欠陥・ナノ構造(炭素・ナノ構造),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 18pXB-9 C_薄膜の光照射及びイオン照射によるポリマー化の比較(ii)(格子欠陥・ナノ構造(電子状態・金属・炭素系物質),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25aYK-11 C_薄膜の光照射及びイオン照射によるポリマー化の比較(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28pXD-8 弾性測定によるC_薄膜のポリマリゼーションの研究(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 20aYN-5 弾性測定によるC_薄膜の照射効果の研究(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 19aTG-5 電子線低温照射による金ナノ結晶材料の弾性特性変化
- 27pYC-2 金ナノ結晶材料における弾性異常の発現機構
- 25aYL-10 低温照射した高密度ナノ結晶金材料の内部摩擦測定
- 20aXB-9 金ナノ結晶の粒界状態について(II)(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25aYK-5 金ナノ結晶の変形機構の温度依存性(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 29pXD-7 金ナノ結晶の粒界状態について(29pXD 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 22aYM-10 FCC金属ナノ結晶の塑性変形による粒界状態変化(格子欠陥・ナノ構造(陽電子・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24pYF-10 a-Si(H)脱水素スペクトルの紫外光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 22pTD-6 a-Si(H)の内部摩擦と脱水素スペクトルの光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 19pXB-8 α-Si(H)のTDS(脱水素)スペクトルの光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26aYK-4 a-Si(H)の光誘起構造変化(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28pXD-2 弾性測定によるa-Si(H)の光照射効果(II)(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28aXT-9 水素をプローブとしたa-Si(H)のアモルファス構造に関する研究(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 31pYG-10 弾性測定による a-Si (H) の光照射効果に関する研究
- 31aYG-1 FCC 金属ナノ結晶の変形特性
- 28a-H-3 アモルファス合金の水素放出過程と水素による結晶化促進
- 31a-U-5 Ta中の転位の水素によるピンニング
- 31a-U-5 Ta中の転位の水素によるピンニング
- 4p-NJ-1 加工したTaの低温内耗
- 29p-RC-12 NaCl型イオン結晶の内部摩擦とボルドニ・ピーク
- 3p-M-6 純鉄中のγピークの熱活性化パラメーター
- 4p-YG-5 Moの自己格子間原子と不純物原子
- 3a-YG-3 超高純度銅のボルドニー・ピーク
- 25p-T-8 Nb中のらせん転位の運動の擬弾性測定による研究II
- 2a-T-11 高純度Nbの転位による内耗
- 4p-NJ-2 Nb中の水素による転位のピン止め
- 27a-J-5 Nb単結晶に及ぼす加工と水素添加の影響
- 26pYM-7 金ナノ結晶の応力急変による粒界構造緩和(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 14aTJ-11 FCC 金属ナノ結晶の粒界におけるすべり変形と構造変化(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 28pXH-2 FCC金属ナノ結晶の特異な変形挙動の発現機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 20pXA-10 FCC 金属ナノ結晶の変形機構
- 14aTJ-12 Cu 薄膜の弾性特性(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 20pXA-11 非晶質合金中の密度揺らぎについて : パルス通電実験
- 19aTG-1 非晶質合金のパルス通電結晶化と集団運動II
- 29pYC-12 非晶質合金のパルス通電結晶化と集団運動
- 25aY-6 非晶質合金における異常通電効果の定量的評価の試み
- 30a-F-12 Nb中のらせん転位の運動の擬弾性測定による研究
- アモルファスCuTi中の水素拡散
- 27p-H-4 20MeVp^+照射したAgの低温回復ステージ