24pYF-10 a-Si(H)脱水素スペクトルの紫外光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2008-02-29
著者
-
水林 博
筑波大物質工
-
谷本 久典
筑波大物質工
-
谷本 久典
筑波大数理物質
-
坂田 功
産総研
-
新井 秀俊
筑波大数理物質
-
山中 光之
産総研
-
新井 秀俊
筑波大物質工
-
水林 博
筑波大数理
-
水林 博
筑波大物質:mpi金属研
-
水林 博
筑波大物質
-
谷本 久典
筑波大物質
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