新井 秀俊 | 筑波大数理物質

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概要

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• 谷本 久典

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著作論文

• 27aRB-4 a-Si(H)中の結合水素に及ぼす光照射効果2(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aRB-3 a-Si(H)中の結合水素に及ぼす光照射効果(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24pYF-10 a-Si(H)脱水素スペクトルの紫外光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22pTD-6 a-Si(H)の内部摩擦と脱水素スペクトルの光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 19pXB-8 α-Si(H)のTDS(脱水素)スペクトルの光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)

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