谷本 久典 | 筑波大物質

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著作論文

• 23aTG-10 その場光照射によるC60のポリマー化の形態(ナノチューブ・グラフェンにおける欠陥,領域7,領域10合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 22aTD-7 C_薄膜の光照射によるポリマー化と弾性特性変化(格子欠陥・ナノ構造(炭素・ナノ構造),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 18pXB-9 C_薄膜の光照射及びイオン照射によるポリマー化の比較(ii)(格子欠陥・ナノ構造(電子状態・金属・炭素系物質),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25aYK-11 C_薄膜の光照射及びイオン照射によるポリマー化の比較(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pXD-8 弾性測定によるC_薄膜のポリマリゼーションの研究(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aYN-5 弾性測定によるC_薄膜の照射効果の研究(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 19aTG-5 電子線低温照射による金ナノ結晶材料の弾性特性変化
• 27pYC-2 金ナノ結晶材料における弾性異常の発現機構
• 25aYL-10 低温照射した高密度ナノ結晶金材料の内部摩擦測定
• 20aXB-9 金ナノ結晶の粒界状態について(II)(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25aYK-5 金ナノ結晶の変形機構の温度依存性(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 29pXD-7 金ナノ結晶の粒界状態について(29pXD 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24pYF-10 a-Si(H)脱水素スペクトルの紫外光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22pTD-6 a-Si(H)の内部摩擦と脱水素スペクトルの光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 19pXB-8 α-Si(H)のTDS(脱水素)スペクトルの光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26aYK-4 a-Si(H)の光誘起構造変化(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pXD-2 弾性測定によるa-Si(H)の光照射効果(II)(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28aXT-9 水素をプローブとしたa-Si(H)のアモルファス構造に関する研究(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 31pYG-10 弾性測定による a-Si (H) の光照射効果に関する研究
• 20pXA-11 非晶質合金中の密度揺らぎについて : パルス通電実験
• 25aY-6 非晶質合金における異常通電効果の定量的評価の試み
• 25pWE-8 a-Si(H)の光照射効果に関する擬弾性測定(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

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