25pWE-8 a-Si(H)の光照射効果に関する擬弾性測定(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本物理学会の論文
• 2002-03-01

著者

• 坂田 功

  産総研

• 山中 光之

  産総研

• 水林 博

  筑波大物質

• 谷本 久典

  筑波大物質

• 柳 義己

  筑波大物質

関連論文

• 光照射グロ-放電分解法における照射光波長がa-Si:Hの光特性変化へ与える影響 (太陽電池-4-)
• 光照射グロ-放電分解法で作成した水素化アモルファスシリコンの特性-1- (太陽電池-4-)
• モノシランのグロ-放電分解によるa-Si:Hの成長表面への可視光の照射効果
• モノシランの低周波グロ-放電分解を用いたアモルファスシリコンの成長 (半導体デバイス特集-8-太陽電池-2-)
• 低周波グロ-放電分解における直流電極バイアスのアモルファスシリコンの成長速度と膜質に与える影響 (半導体デバイス特集-8-太陽電池-2-)
• 27p-M-2 1T-TaS_2の弾性異常
• 3a-B-1 1T-TaS_2, NbSe_3の弾性異常
• 23aTG-10 その場光照射によるC60のポリマー化の形態(ナノチューブ・グラフェンにおける欠陥,領域7,領域10合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 22aTD-7 C_薄膜の光照射によるポリマー化と弾性特性変化(格子欠陥・ナノ構造(炭素・ナノ構造),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 18pXB-9 C_薄膜の光照射及びイオン照射によるポリマー化の比較(ii)(格子欠陥・ナノ構造(電子状態・金属・炭素系物質),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25aYK-11 C_薄膜の光照射及びイオン照射によるポリマー化の比較(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pXD-8 弾性測定によるC_薄膜のポリマリゼーションの研究(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aYN-5 弾性測定によるC_薄膜の照射効果の研究(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 19aTG-5 電子線低温照射による金ナノ結晶材料の弾性特性変化
• 27pYC-2 金ナノ結晶材料における弾性異常の発現機構
• 25aYL-10 低温照射した高密度ナノ結晶金材料の内部摩擦測定
• 20aXB-9 金ナノ結晶の粒界状態について(II)(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25aYK-5 金ナノ結晶の変形機構の温度依存性(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 29pXD-7 金ナノ結晶の粒界状態について(29pXD 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• in-situ水素化熱CVD a-Si:H (特集:太陽電池5)
• 23pWZ-14 a-Si(H)の光照射誘起脱水素の現象と機構(23pWZ 格子欠陥・ナノ構造(金属,点欠陥,シュミレーション),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 27aRB-4 a-Si(H)中の結合水素に及ぼす光照射効果2(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aRB-3 a-Si(H)中の結合水素に及ぼす光照射効果(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24pYF-10 a-Si(H)脱水素スペクトルの紫外光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22pTD-6 a-Si(H)の内部摩擦と脱水素スペクトルの光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 19pXB-8 α-Si(H)のTDS(脱水素)スペクトルの光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26aYK-4 a-Si(H)の光誘起構造変化(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pXD-2 弾性測定によるa-Si(H)の光照射効果(II)(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28aXT-9 水素をプローブとしたa-Si(H)のアモルファス構造に関する研究(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 31pYG-10 弾性測定による a-Si (H) の光照射効果に関する研究
• 31a-U-5 Ta中の転位の水素によるピンニング
• 31a-U-5 Ta中の転位の水素によるピンニング
• 4p-NJ-1 加工したTaの低温内耗
• 20pXA-11 非晶質合金中の密度揺らぎについて : パルス通電実験
• 25aY-6 非晶質合金における異常通電効果の定量的評価の試み
• 30a-F-12 Nb中のらせん転位の運動の擬弾性測定による研究
• アモルファスCuTi中の水素拡散
• 30p-T-13 Nb,Ta中の照射欠陥によるバルク効果(30pT 格子欠陥)
• 31a-T-6 Nb,Ta中の自己格子間原子の回復挙動(31aT 格子欠陥)
• 25pWE-8 a-Si(H)の光照射効果に関する擬弾性測定(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク