31pYG-10 弾性測定による a-Si (H) の光照射効果に関する研究

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2003-03-06

著者

• 水林 博

  筑波大物質工

• 谷本 久典

  筑波大物質工

• 谷本 久典

  筑波大数理物質

• 坂田 功

  産総研

• 山中 光之

  産総研

• 日沼 哲也

  筑波大物質

• 水林 博

  筑波大数理

• 水林 博

  筑波大物質:mpi金属研

• 水林 博

  筑波大物質

• 谷本 久典

  筑波大物質

関連論文

• 光照射グロ-放電分解法における照射光波長がa-Si:Hの光特性変化へ与える影響 (太陽電池-4-)
• 光照射グロ-放電分解法で作成した水素化アモルファスシリコンの特性-1- (太陽電池-4-)
• モノシランのグロ-放電分解によるa-Si:Hの成長表面への可視光の照射効果
• モノシランの低周波グロ-放電分解を用いたアモルファスシリコンの成長 (半導体デバイス特集-8-太陽電池-2-)
• 低周波グロ-放電分解における直流電極バイアスのアモルファスシリコンの成長速度と膜質に与える影響 (半導体デバイス特集-8-太陽電池-2-)
• 27p-M-2 1T-TaS_2の弾性異常
• 3a-B-1 1T-TaS_2, NbSe_3の弾性異常
• 23aTG-10 その場光照射によるC60のポリマー化の形態(ナノチューブ・グラフェンにおける欠陥,領域7,領域10合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
• 22aTD-7 C_薄膜の光照射によるポリマー化と弾性特性変化(格子欠陥・ナノ構造(炭素・ナノ構造),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 18pXB-9 C_薄膜の光照射及びイオン照射によるポリマー化の比較(ii)(格子欠陥・ナノ構造(電子状態・金属・炭素系物質),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25aYK-11 C_薄膜の光照射及びイオン照射によるポリマー化の比較(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pXD-8 弾性測定によるC_薄膜のポリマリゼーションの研究(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aYN-5 弾性測定によるC_薄膜の照射効果の研究(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 高密度金属ナノ結晶材の創製とその力学特性
• 19aTG-5 電子線低温照射による金ナノ結晶材料の弾性特性変化
• 27pYC-2 金ナノ結晶材料における弾性異常の発現機構
• 22pYS-10 金ナノ結晶のクリープ変形機構
• 25aYL-11 高密度金ナノ結晶の粒界構造と熱的安定性
• 25aYL-10 低温照射した高密度ナノ結晶金材料の内部摩擦測定
• 第14回内部摩擦とメカニカル・スペクトロスコピー国際会議
• 22pWA-6 金ナノ結晶の結晶粒界層の相転移(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 30a-K-13 Moの格子間原子の拡散について
• 20aXB-9 金ナノ結晶の粒界状態について(II)(格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25aYK-5 金ナノ結晶の変形機構の温度依存性(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 29pXD-7 金ナノ結晶の粒界状態について(29pXD 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22aYM-10 FCC金属ナノ結晶の塑性変形による粒界状態変化(格子欠陥・ナノ構造(陽電子・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• in-situ水素化熱CVD a-Si:H (特集:太陽電池5)
• 29p-D-12 Moの自己格子間原子による緩和ピークの欠陥濃度依存性
• 29p-D-11 Moの自己格子間原子における拡散様式の欠陥濃度依存性
• 26a-T-12 低温陽子線照射したMoの内部摩擦測定
• 23pWZ-14 a-Si(H)の光照射誘起脱水素の現象と機構(23pWZ 格子欠陥・ナノ構造(金属,点欠陥,シュミレーション),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 23pWZ-7 金ナノ結晶の異常格子収縮と空孔濃度温度変化(23pWZ 格子欠陥・ナノ構造(金属,点欠陥,シュミレーション),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 22pWA-7 Ag薄膜の界面OHに起因する内部摩擦(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27aRB-4 a-Si(H)中の結合水素に及ぼす光照射効果2(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aRB-3 a-Si(H)中の結合水素に及ぼす光照射効果(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24pYF-10 a-Si(H)脱水素スペクトルの紫外光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22pTD-6 a-Si(H)の内部摩擦と脱水素スペクトルの光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 19pXB-8 α-Si(H)のTDS(脱水素)スペクトルの光照射効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26aYK-4 a-Si(H)の光誘起構造変化(26aYK 格子欠陥・ナノ構造(アモルファス・転位・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pXD-2 弾性測定によるa-Si(H)の光照射効果(II)(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28aXT-9 水素をプローブとしたa-Si(H)のアモルファス構造に関する研究(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 31pYG-10 弾性測定による a-Si (H) の光照射効果に関する研究
• GDMによるFeナノクリスタル膜の生成と磁性 (薄膜)
• GDMによるFeナノクリスタル膜の生成と磁性
• 31aYG-1 FCC 金属ナノ結晶の変形特性
• 28a-H-3 アモルファス合金の水素放出過程と水素による結晶化促進
• 28p-E-7 ガスデポジジョン法で作製した金ナノ結晶材の力学的性質II
• ガスデポジション法で作製した金ナノ結晶材の力学的性質
• 31a-U-5 Ta中の転位の水素によるピンニング
• 31a-U-5 Ta中の転位の水素によるピンニング
• 4p-NJ-1 加工したTaの低温内耗
• 29p-RC-12 NaCl型イオン結晶の内部摩擦とボルドニ・ピーク
• 3p-M-6 純鉄中のγピークの熱活性化パラメーター
• 1p-M-2 超高純度銅の低温内部摩擦測定
• 30a-N-3 低温電子線照射したWの内部摩擦測定
• 4p-YG-5 Moの自己格子間原子と不純物原子
• 3a-YG-3 超高純度銅のボルドニー・ピーク
• 31a-P-12 Taのらせん転位による緩和ピーク
• 30p-P-7 低温陽子線照射したWの内部摩擦測定
• 25p-T-8 Nb中のらせん転位の運動の擬弾性測定による研究II
• 領域10「カーボン物質の機能性ナノ構造形成」(第61回年次大会シンポジウムの報告)
• 25pYK-12 Zr-Cu基非晶質合金の水素誘起構造緩和(25pYK 領域10,領域9合同 格子欠陥・ナノ構造(水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 29pYB-8 ガスデポジション法で作製したNiナノ結晶の磁気特性
• 2a-T-11 高純度Nbの転位による内耗
• 4p-NJ-2 Nb中の水素による転位のピン止め
• 27a-J-5 Nb単結晶に及ぼす加工と水素添加の影響
• 29a-ZA-10 金ナノ結晶のクリープ挙動と構造変化
• 28a-T-5 金ナノ結晶の弾性特性
• ナノ結晶質金属材料の力学的性質 -ナノ結晶質Auについて-
• 2a-YK-5 ガスデポジション法で作製した金ナノ結晶の力学特性II
• 5p-S-12 ガスデポジション法で作製した金ナノ結晶の力学特性に関する研究
• 26pYM-7 金ナノ結晶の応力急変による粒界構造緩和(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 14aTJ-11 FCC 金属ナノ結晶の粒界におけるすべり変形と構造変化(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
• 28pXH-2 FCC金属ナノ結晶の特異な変形挙動の発現機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 20pXA-10 FCC 金属ナノ結晶の変形機構
• 14aTJ-12 Cu 薄膜の弾性特性(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
• 領域10「ナノスケール構造を利用した物質創製 : 材料種の枠を超えて」(第59回年次大会シンポジウム(物性分科会)の報告)
• 20pXA-11 非晶質合金中の密度揺らぎについて : パルス通電実験
• Characterization and Determination of Elastic Property of High-Density Nanocrystalline Gold Prepared by Gas-Deposition Method
• Anelasticity Study on Motions of Atoms in the Grain Boundary Regions in Nanocrystalline Gold
• 19aTG-1 非晶質合金のパルス通電結晶化と集団運動II
• 29pYC-12 非晶質合金のパルス通電結晶化と集団運動
• 25aY-6 非晶質合金における異常通電効果の定量的評価の試み
• 極低温照射した金属の内部摩擦測定 : 高融点BCC金属と金ナノ結晶材の物性
• 30a-F-12 Nb中のらせん転位の運動の擬弾性測定による研究
• アモルファスCuTi中の水素拡散
• Transformation to Nanocrystallites in Amorphous Alloys Induced by Resonant Electropulsing
• 水素化によるハイダンピング性 (特集 ハイダンピングマテリアルの開発最前線)
• 23aGQ-7 ナノ構造系金属におけるパルス通電による格子励起と構造緩和(23aGQ 格子欠陥・ナノ構造(炭素ナノ材料・ダイナミクス),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27p-H-4 20MeVp^+照射したAgの低温回復ステージ
• 30p-T-13 Nb,Ta中の照射欠陥によるバルク効果(30pT 格子欠陥)
• 31a-T-6 Nb,Ta中の自己格子間原子の回復挙動(31aT 格子欠陥)
• 25pWE-8 a-Si(H)の光照射効果に関する擬弾性測定(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク