遠藤 和弘 | 電総研
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概要
関連著者
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遠藤 和弘
電総研
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山本 良一
東大先端研
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権田 俊一
電総研
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山本 良一
東大工
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堂山 昌男
東大工
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鈴木 淳
横浜国大
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鈴木 淳史
横浜国立大学大学院環境情報研究院人工環境と情報部門
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大竹 和夫
東大工
-
羽多野 毅
金材技研
-
鈴木 淳史
東大工
-
伊原 英雄
電総研
-
羽多野 毅
東大工
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佐藤 英一
東大・工
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佐藤 英一
東大工
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堂山 昌男
帝京科大
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梶村 皓二
電総研
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徳本 洋志
電総研
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堂山 昌男
東大・工
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山本 良一
東大・工
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村上 寛
電総研
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水谷 亘
電総研
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梶村 皓二
筑波大物質工:電総研
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村上 寛
産総研
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阪東 寛
電総研
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大竹 和夫
東大・工
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鈴木 泰之
東大工:現三重大
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村上 寛
電子技術総合研究所
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吉田 貞史
電総研
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小柴 俊
東大生研
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水谷 亘
JRCAT-NAIR
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渡辺 和俊
セイコー電子工業
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脇山 茂
セイコー電子工業
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吉田 貞史
電子技術総合研究所材料科学部
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Yamamoto Ryoichi
Laboratory Of Biology And Chemistry Tezukayama College
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脇山 茂
セイコー電子工業(株)科学機器事業部技術ー部技術 2g
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阪東 寛
産総研
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村上 寛
産業技術総合研究所
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小柴 俊
東大工
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高橋 裕
東大工
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水林 博
筑波大物質工
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奥田 重雄
筑波大物質工
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瀬恒 謙太郎
松下電器 先端技術研究所
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工藤 勲
電総研
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小野 雅敏
電総研
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森田 直威
東レリサーチ
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岡野 真
電総研
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板東 寛
電子技術総合研究所
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瀬垣 謙太郎
松下電器産業(株)中央研究所
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山崎 裕文
電総研
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遠藤 和弘
電子技術総合研究所
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岡山 重夫
電総研
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中村 光弘
東大工
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有瀬 忠憲
東大先端研
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山崎 裕文
産業技術総合研
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工藤 勲
北海道大学
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瀬垣 謙太郎
松下電器 先端技術研究所
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金子 啓二
電総研
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幸坂 紳
電子技術総合研究所
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市川 洋
名古屋工業大学大学院
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波多野 毅
東大工
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水林 博
筑波大物質:mpi金属研
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奥田 重雄
筑波大物質
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鈴木 泰之
東大工
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水林 博
筑波大物質
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工藤 勲
北大工
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鈴木 泰之
東大・工
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菅 滋正
物性研
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森 多美子
物性研
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梅田 政一
産総研
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松畑 洋文
電総研
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香山 正憲
大工試
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鈴木 淳史
横浜国大
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伊原 秀雄
電総研
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香山 正憲
東大工
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堂山 昌男
東大工学部金属材料学科
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足立 秀明
松下電器産業(株)先端技術研究所
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足立 秀明
松下電器産業先端研
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足立 秀明
松下電器 先端技術研究所
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足立 秀明
宇宙環境利用推進センター
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市川 洋
宇宙環境利用推進センター
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瀬恒 謙太郎
宇宙環境利用推進センター
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河内 昌蔵
宇宙環境利用推進センター
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瀬恒 謙太郎
松下中研
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市川 洋
松下中研
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清水 哲夫
独立行政法人産業技術総合研究所
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安藤 淳
電総研
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清水 哲夫
電総研
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森田 行則
融合研
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徳本 洋志
融合研
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繁野 雅次
セイコー電子工業(株)
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梶村 晧二
電総研
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小野 雅敏
電総研極限技術部
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岡野 真
電子技術総合研究所
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小野 雅敏
電子技術総合研究所
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岡山 重夫
電子技術総合研究所
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徳本 洋志
Jrcat-nair
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岡山 重夫
工業技術院電子技術総合研究所
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小野 雅敏
電子技術総合研究所極限技術部
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坂井 文樹
セイコー電子工業(株)
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渡辺 一弘
理研
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工藤 勲
北大 大学院水産科学研究院
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小柴 俊
東大・工
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梅田 政一
電総研
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幸坂 紳
電総研
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坂東 寛
電総研
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有瀬 忠憲
学高輪台高校
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小野 祐一
電総研
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森田 行則
アトムテクノロジー研究体-産業技術融合領域研究所
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鈴木 淳史
東大・工
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羽多野 毅
東大・工
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有瀬 忠憲
東海大高輪台高校
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中村 光弘
東大工学部
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鈴木 泰之
東大工学部
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山本 良一
東大工学部
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趙 陽九
東大工
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鈴木 淳
東大工
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渡辺 一弘
電総研
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安藤 淳
愛媛大理
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陸 革
中国科学院
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鈴木 淳史
東大工学部
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波多野 毅
東大工学部
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坂井 文樹
セイコー電子工業
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足立 秀明
松下電器 先端研
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繁野 雅次
セイコー電子工業株式会社
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若山 修一
東大・工
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岸 輝雄
東大・工
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増田 一雄
物性研
-
繁野 雅次
セイコー電子工業
著作論文
- 2a-M-7 陽電子消滅法によるCDW転移
- 3p-PS-54 転位モデルによる,ピン止めされた電荷密度波のダイナミクスの研究
- 2p-KH-10 陽電子角相関法を用いた(TaSe_4)_2Iの研究
- 2p-KH-6 NbSe_3TaS_3等のCDW転移の一軸応力効果
- 13p-PS-12 2H-NbSe_2,2H-TaSe_2,1T-TaS_2中での陽電子消滅
- 27p-M-9 遷移金属カルコガナイドNbSe_2中での陽電子消滅 II
- 27p-M-2 1T-TaS_2の弾性異常
- 3a-B-12 遷移金属カルコゲナイドNbSe_2中での陽電子消滅
- 3a-B-1 1T-TaS_2, NbSe_3の弾性異常
- 30p-B-3 HfS_3のXPS
- 2a-F-14 遷移金属カルコゲナイドの状態密度 : ドップラー測定
- 2a-F-15 遷移金属カルコゲナイドのフェルミ面の異方性(角相関測定)
- 2a-F-8 陽電子消滅法による1T-TaS_2のCDW転移(II)
- 微小重力下での薄膜の溶融・凝固実験
- 14a-W-2 Bi-2223薄膜の変調構造
- 4p-F-9 (TaSe_4)_2Iの陽電子消滅スペクトル
- 28a-YE-3 エピタキシャルBi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_X薄膜における磁束グラス・液体転移
- MOCVD法 - 高性能Bi_2Sr_2Ca_2Cu_3O_x超伝導薄膜を後熱処理なしで作製 -
- 28a-R-11 STS/STMによる超伝導エネルギーギャップ分布の測定
- 27a-P-9 STS/STMによる層状物質の局所状態密度関数の測定
- 28a-D-4 STMによる2Ha-NbSe_2の原子像観察
- 3p-SG-5 FIMによるNbSe_3の研究
- JEMによる超伝導薄膜の作製
- MOCVD法による高品質Bi-2223超電導薄膜の作製 (特集:高温超電導) -- (高温超電導材料の探索)
- Bi系酸化物における磁束グラス・液体転移とその物理的背景 (特集:超電導材料特性評価)
- 4a-NK-8 遷移金属カルコゲナイドの陽電子寿命測定
- 2p-W-25 遷移金属カルコゲナイドの電子構造
- 3a-A-2 遷移金属カルコゲナイド結晶の成長II
- 2p-NJ-2 電界イオン顕微鏡によるMX_3の研究
- MOCVD法による高性能酸化物伝導薄膜の作製
- 2a-NL-12 遷移金属カルコゲナイドの低温ESCA
- 3a-A-1 遷移金属カルコゲナイドの結晶成長(I)
- 30a-H-3 STMによる2H-NbSe_2の表面原子像と振幅異常(表面・界面)
- 3p-D2-6 アコースティック・エミッション(AE)法によるMX_2のCDW転移の研究(3p D2 半導体(グラファイトインターカレーション・ダイカルゴゲナイド・層状物質),半導体)
- 1a-FB-4 (TaSe_4)_2Iの光電子分光(1a FB 半導体(擬一次元物質))