足立 秀明 | 松下電器産業先端研
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概要
関連著者
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足立 秀明
松下電器産業(株)先端技術研究所
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足立 秀明
松下電器産業先端研
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足立 秀明
松下電器 先端研
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足立 秀明
松下電器 先端技術研究所
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足立 秀明
松下電器産業(株) 先端技術研究所
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榊間 博
奈良先端科学技術大学院大学
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榊間 博
松下電器中研
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榊間 博
松下電器 中尾研
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榊間 博
松下電器先端技術研究所:奈良先端科学技術大学院大学
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榊間 博
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科:松下電器産業(株)先端技術研究所
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足立 秀明
松下電器産業 先端技研
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瀬恒 謙太郎
松下電器 先端技術研究所
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瀬垣 謙太郎
松下電器産業(株)中央研究所
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瀬垣 謙太郎
松下電器 先端技術研究所
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小田川 明弘
産総研・強相関電子技術研究センター:松下電器産業
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塩嵜 忠
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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塩嵜 忠
奈良先端大物質科
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岡村 総一郎
奈良先端大物質創成
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岡村 総一郎
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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瀬恒 謙太郎
松下電器産業(株)中央研究所
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羽根田 陽子
地球環境研
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Shiosaki Tadashi
Research Development Division Sakai Chemical Industry Co. Ltd.
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瀬恒 謙太郎
松下電器産業(株) 中央研究所
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仲山 寛
奈良先端科学技術大学院大学
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羽根田 陽子
(財)地球環境産業技術研究機構
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里見 三男
松下電器 先端技術研究所
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里見 三男
松下電器産業(株)
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四橋 聡史
パナソニック(株)先端技術研究所
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竹内 学
奈良先端科学技術大学院大学
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足立 秀明
松下電器中研
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和佐 清孝
(財)地球環境産業技術研究機構
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平本 雅祥
松下電器先端技術研究所
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坂井 全弘
松下電器産業(株)ディスプレイデバイス開発センター
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坂井 全弘
松下電器産業(株) 中央研究所
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松川 望
松下電器産業 先端技研
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松川 望
松下電器
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竹内 学
新潟大学消化器内科
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石井 裕司
東工大理工
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金子 良夫
ERATO
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于 秀珍
物材機構-ancc
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菅野 勉
松下先端技術
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十倉 好紀
産総研CERC
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川崎 雅司
産総研CERC
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佐藤 弘
産総研・強相関電子技術セ
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赤穂 博司
産総研・強相関電子技術セ
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赤穂 博司
産総研CERC
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澤 彰仁
産総研CERC
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井上 公
産業技術総合研究所 強相関電子研究センター
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于 秀珍
ERATO-ESS
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井上 公
産総研CERC
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赤穗 博司
産総研CERC
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小田川 明弘
産総研CERC
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佐藤 弘
産総研CERC
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石井 祐司
産総研CERC
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足立 秀明
松下先端技研
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四橋 聡史
松下先端技術
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石井 裕司
産総研CERC
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松田 大
奈良先端科学技術大学院大学
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平本 雅祥
松下電器産業(株)先端技術研究所
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松川 望
松下電器産業(株)先端技術研究所
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里見 三男
松下電器中研
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和佐 清孝
横浜市立大学理学部
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小田川 明弘
松下電器産業(株)中央研究所
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佐藤 利文
松下電器産業(株)中央研究所
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廣田 榮一
松下電器 先端技術研究所
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市川 洋
名古屋工業大学大学院
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赤穂 博司
産業技術総合研究所 強相関電子研究センター
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平本 雅祥
松下電器産業
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小田川 明弘
松下電器産業(株) 先端技術研究所 ナノテクノロジー研究所
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石井 裕司
東工大理
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佐藤 弘
独立行政法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
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菅野 勉
松下先端技研
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四橋 聡史
松下先端技研
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村上 寛
産総研
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川崎 雅司
ERATO-MF
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村上 寛
産業技術総合研究所
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村上 寛
電子技術総合研究所
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田畑 研二
(財)地球環境産業技術研究機構(RITE)
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赤井 久純
阪大院理
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遠藤 和弘
電総研
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吉田 貞史
電総研
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井上 公
JST
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菅野 勉
JST
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四橋 聡史
産総研CERC
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于 秀珍
松下先端技研
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金子 良夫
松下先端技研
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赤穂 博司
ERATO-SSS
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于 秀珍
ATRL-Matsushita Electric Ind. Co. Ltd.
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金子 良夫
ATRL-Matsushita Electric Ind. Co. Ltd.
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赤井 久純
大阪大院理
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足立 秀明
奈良先端科学技術大学院大学
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岡本 総一郎
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
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廣田 榮一
松下電器中研
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小田川 明弘
松下電器 先端技術研究所
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神野 伊策
松下電器産業(株)中央研究所
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坂井 全弘
松下電器産業(株)中央研究所
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村上 寛
電総研
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工藤 勲
電総研
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足立 秀明
宇宙環境利用推進センター
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市川 洋
宇宙環境利用推進センター
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瀬恒 謙太郎
宇宙環境利用推進センター
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河内 昌蔵
宇宙環境利用推進センター
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佐藤 利文
(財)地球環境産業技術研究機構
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市川 洋
松下電器産業(株)中央研究所
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足立 秀明
松下中研
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坂井 全弘
松下中研
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水野 紘一
松下中研
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瀬恒 謙太朗
松下中研
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赤井 久純
阪大理
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足立 秀明
松下電器先端技術研究所
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松川 望
松下電器先端技術研究所
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小田川 明弘
松下電器先端技術研究所
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榊間 博
松下電器先端技術研究所
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大下 真広
阪大理
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四橋 聡史
松下電器産業先端研
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田畑 研二
(財)地球環境産業技術研究所
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遠藤 和弘
電子技術総合研究所
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北畠 真
松下電器産業 先端技研
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工藤 勲
北海道大学
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杉田 康成
松下電器 先端技術研究所
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川分 康博
松下電器 先端技術研究所
-
杉田 康成
松下電器産業(株)
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川分 康博
松下電器産業(株)
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吉田 貞史
電子技術総合研究所材料科学部
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金子 良夫
ERATO-SSS
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小田川 明弘
産総研CERC:松下先端技術
著作論文
- 27pZP-11 電極/Pr_Ca_MnO_3薄膜/電極構造におけるヒステリシス伝導特性(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
- 27pZP-11 電極/Pr_Ca_MnO_3薄膜/電極構造におけるヒステリシス伝導特性(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
- エピタキシャルFe_3O_4ピニング層を用いたスピンバルブ膜の磁気抵抗効果
- Fe_3O_4磁性層を用いた強磁性トンネル接合の結晶方位依存性
- Fe_3O_4磁性層を用いた強磁性トンネル接合の作製
- 強誘電体薄膜メモリ (誘電体物理の新しい展開 特集号) -- (強誘電体の応用)
- エピタキシャルRFeO_3反強磁性層を用いたスピンバルブ膜の方位依存性
- 反強磁性ペロブスカイトを用いたスピンバルブ膜のMR特性
- 24aPS-55 2重ペロブスカイトSr-Fe-Mo-O薄膜の粒界トンネリング磁気抵抗特性
- ミスカットSrTiO_3基板上のPbTiO_3スパッタ薄膜の構造と薄膜成長機構 : ミスカット角度の薄膜構造への影響
- 層状結晶における原子層を利用した高温超伝導ジョセフソン接合
- ペロブスカイト薄膜の微細構造と制御
- PbTiO_3スパッタ膜の構造解析
- 強誘電体薄膜の微細構造の制御
- 微小重力下での薄膜の溶融・凝固実験
- PbTiO_3スパッタ膜の微細構造
- 3a-PS-25 元素置換したBa-Ca-Cu-O膜の構造と超伝導特性
- 18pPSB-40 Fe_3O_4を用いたスピン依存トンネル接合の温度特性
- 19aXE-14 久保グリーンウッド公式によるゼーベック係数の第一原理計算(19aXE 遷移金属酸化物(理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- エピタキシャルYFeO_3反強磁性層を用いたスピンバルブ膜の方位依存性
- 層状結晶における原子層を利用した高温超伝導ジョセソフン接合
- 超薄酸化膜を用いたPtMn系反射型スピンバルブ膜のMR特性