北畠 真 | 松下電器産業 先端技研
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概要
関連著者
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北畠 真
松下電器産業 先端技研
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北畠 真
松下電器産業 (株) 先行デバイス開発センター
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北畠 真
松下電器産業(株)中央研究所
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出口 正洋
松下電器産業(株)中央研究所
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出口 正洋
松下電器産業株式会社
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足立 秀明
松下電器産業(株)先端技術研究所
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足立 秀明
松下電器 先端技術研究所
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和佐 清孝
松下中研
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和佐 清孝
松下電器産業(株)中央研究所
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北畠 真
松下中研
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広地 久美子
松下電器産業 中研
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和佐 清孝
松下電器産業(株) 中央研究所
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森 勇介
大阪大学大学院工学研究科
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古曳 重美
松下中研
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佐々木 孝友
大阪大学大学院 工学研究科
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伊藤 利道
大阪大 大学院工学研究科
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足立 秀明
松下先端研
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足立 秀明
松下電器産業先端研
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足立 秀明
松下中研
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瀬恒 謙太郎
松下中研
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市川 洋
松下中研
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平木 昭夫
大阪大学工学研究科フロンティア研究センター
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広地 久美子
松下中研
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北川 雅俊
松下電器産業
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三露 常男
松下中研
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瀬垣 謙太郎
松下電器産業(株)中央研究所
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瀬垣 謙太郎
松下電器 先端技術研究所
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小川 兼司
大阪大学工学部
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古曳 重美
松下テクノリサーチ
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広地 久美子
松下電器産業(株)
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北畠 真
松下電器中研
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和佐 清孝
松下電器中研
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北畠 真
松下電器材研
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和佐 清孝
松下電器材研
-
和佐 清孝
松下電器材料研
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江 南
大阪大学工学部
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八田 章光
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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小川 兼司
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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江 南
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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八木 弘雅
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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栄森 信広
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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伊藤 利道
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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平木 昭夫
高知工科大学電子・光システム工学科
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市川 洋
名古屋工業大学大学院
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和佐 清孝
松下電器中央研究所
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北川 雅俊
松下電器産業株式会社
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足立 秀明
松下電器 先端研
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平木 昭夫
大阪大学,高知工科大学電子・光システム工学科
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高橋 邦方
松下電器産業株式会社先端技術研究所
著作論文
- 強誘電体薄膜メモリ (誘電体物理の新しい展開 特集号) -- (強誘電体の応用)
- 6p-PS-28 XPSによる非希土類系酸化物超伝導薄膜の熱処理効果の評価
- 強誘電体薄膜 (強誘電体とその同族物質特集号)
- イオンビームスパッタ法によるi-C膜(超硬質薄膜形成技術の新展開)
- ニュ-ダイヤモンド (先端材料の新技術--開発・製造・評価) -- (いま話題の新しい材料)
- イオンビ-ムスパッタ法によるダイヤモンド状炭素膜の耐摩耗性
- 常温基板上へのダイヤモンドの結晶成長
- アモルファスABO3型酸化物の薄膜 (アモルファス物質-2-(特集号)) -- (アモルファス誘電体)
- アモルファス誘電体
- 4a-D-7 アモルファスPbTiO_3の物性III
- 1p-KN-2 アモルファスPbTiO_3の物質II
- 13p-H-10 アモルファスPbTiO_3スパッタ膜の物性
- 29p-W-6 アモルファススパッタLiNbO_3膜の物性
- 30p-SC-9 非晶質Li-Nb-Oスパッタ膜の誘電特性
- 圧力センサー-半導体ダイヤモンド薄膜の歪み抵抗効果-
- ダイヤモンド粒子からのフィールドエミッション
- p形CVDダイヤモンド膜のピエゾ抵抗効果特性
- 7p-YH-2 SiC成長過程のシミュレーションと実験
- ダイヤモンド表面物性の評価・制御と電子エミッターへの応用
- p形CVDダイヤモンド膜のピエゾ抵抗効果特性
- 29p-RD-6 強誘電体薄膜
- SiCパワーデバイスの開発状況と課題(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
- 縦型ホットウォールCVDによるSiCエピタキシャル成長
- アモルファスABO3化合物薄膜のスパッタ-法による形成とその物性 (機能性薄膜)
- ワイドバンドギャップ・パワーデバイス (特集 半導体) -- (半導体コンポーネント)