北畠 真 | 松下電器産業 (株) 先行デバイス開発センター
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概要
関連著者
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北畠 真
松下電器産業 (株) 先行デバイス開発センター
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北畠 真
松下電器産業 先端技研
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北畠 真
松下電器産業(株)中央研究所
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出口 正洋
松下電器産業(株)中央研究所
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出口 正洋
松下電器産業株式会社
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和佐 清孝
松下電器産業(株)中央研究所
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和佐 清孝
松下電器産業(株) 中央研究所
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森 勇介
大阪大学大学院工学研究科
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佐々木 孝友
大阪大学大学院 工学研究科
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伊藤 利道
大阪大 大学院工学研究科
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平木 昭夫
大阪大学工学研究科フロンティア研究センター
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北川 雅俊
松下電器産業
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小川 兼司
大阪大学工学部
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広地 久美子
松下電器産業(株)
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江 南
大阪大学工学部
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八田 章光
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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小川 兼司
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
江 南
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
八木 弘雅
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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栄森 信広
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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伊藤 利道
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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平木 昭夫
高知工科大学電子・光システム工学科
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広地 久美子
松下電器産業 中研
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北川 雅俊
松下電器産業株式会社
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平木 昭夫
大阪大学,高知工科大学電子・光システム工学科
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高橋 邦方
松下電器産業株式会社先端技術研究所
著作論文
- イオンビームスパッタ法によるi-C膜(超硬質薄膜形成技術の新展開)
- 1p-KN-2 アモルファスPbTiO_3の物質II
- 13p-H-10 アモルファスPbTiO_3スパッタ膜の物性
- 圧力センサー-半導体ダイヤモンド薄膜の歪み抵抗効果-
- ダイヤモンド粒子からのフィールドエミッション
- p形CVDダイヤモンド膜のピエゾ抵抗効果特性
- 7p-YH-2 SiC成長過程のシミュレーションと実験
- ダイヤモンド表面物性の評価・制御と電子エミッターへの応用
- p形CVDダイヤモンド膜のピエゾ抵抗効果特性
- 29p-RD-6 強誘電体薄膜
- SiCパワーデバイスの開発状況と課題(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
- 縦型ホットウォールCVDによるSiCエピタキシャル成長
- ワイドバンドギャップ半導体とナノテクノロジー (特集 ナノエレクトロデバイスの課題と可能性)