SiCパワーデバイスの開発状況と課題(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
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概要
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SiCの材料・半導体物性について概説し、SiCパワーデバイスへの期待を述べた。プロセス技術の開発状況として、ウェハ・エピタキシャル成長・イオン注入/アルニール・酸化絶縁膜に関して解説し、技術課題・事業化課題を考察した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-02-22
著者
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