イオンビームスパッタ法によるi-C膜(<特集>超硬質薄膜形成技術の新展開)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 公益社団法人精密工学会の論文
- 1987-10-05
著者
関連論文
- 強誘電体薄膜メモリ (誘電体物理の新しい展開 特集号) -- (強誘電体の応用)
- 6p-PS-28 XPSによる非希土類系酸化物超伝導薄膜の熱処理効果の評価
- 強誘電体薄膜 (強誘電体とその同族物質特集号)
- イオンビームスパッタ法によるi-C膜(超硬質薄膜形成技術の新展開)
- ニュ-ダイヤモンド (先端材料の新技術--開発・製造・評価) -- (いま話題の新しい材料)
- イオンビ-ムスパッタ法によるダイヤモンド状炭素膜の耐摩耗性
- 常温基板上へのダイヤモンドの結晶成長
- アモルファスABO3型酸化物の薄膜 (アモルファス物質-2-(特集号)) -- (アモルファス誘電体)
- アモルファス誘電体
- 4a-D-7 アモルファスPbTiO_3の物性III
- 1p-KN-2 アモルファスPbTiO_3の物質II
- 13p-H-10 アモルファスPbTiO_3スパッタ膜の物性
- 29p-W-6 アモルファススパッタLiNbO_3膜の物性
- 30p-SC-9 非晶質Li-Nb-Oスパッタ膜の誘電特性
- 圧力センサー-半導体ダイヤモンド薄膜の歪み抵抗効果-
- ダイヤモンド粒子からのフィールドエミッション
- p形CVDダイヤモンド膜のピエゾ抵抗効果特性
- 7p-YH-2 SiC成長過程のシミュレーションと実験
- ダイヤモンド表面物性の評価・制御と電子エミッターへの応用
- p形CVDダイヤモンド膜のピエゾ抵抗効果特性
- 29p-RD-6 強誘電体薄膜
- SiCパワーデバイスの開発状況と課題(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
- 縦型ホットウォールCVDによるSiCエピタキシャル成長
- アモルファスABO3化合物薄膜のスパッタ-法による形成とその物性 (機能性薄膜)
- ワイドバンドギャップ半導体とナノテクノロジー (特集 ナノエレクトロデバイスの課題と可能性)
- ワイドバンドギャップ・パワーデバイス (特集 半導体) -- (半導体コンポーネント)