榊間 博 | 松下電器 中尾研
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概要
関連著者
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榊間 博
松下電器 中尾研
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榊間 博
松下電器中研
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榊間 博
奈良先端科学技術大学院大学
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榊間 博
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科:松下電器産業(株)先端技術研究所
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榊間 博
松下電器先端技術研究所:奈良先端科学技術大学院大学
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里見 三男
松下電器 先端技術研究所
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里見 三男
松下電器産業(株)
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川分 康博
松下電器産業(株)
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榊間 博
松下電器産業(株)中尾研究所
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杉田 康成
松下電器産業(株)
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平本 雅祥
松下電器先端技術研究所
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松川 望
松下電器産業 先端技研
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松川 望
松下電器
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入江 庸介
松下電器中研
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平本 雅祥
松下電器産業(株)先端技術研究所
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足立 秀明
松下電器産業(株)先端技術研究所
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足立 秀明
松下電器産業先端研
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松川 望
松下電器産業(株)先端技術研究所
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里見 三男
松下電器中研
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平本 雅祥
松下電器産業
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足立 秀明
松下電器 先端研
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足立 秀明
松下電器 先端技術研究所
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廣田 榮一
松下電器 先端技術研究所
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小田川 明弘
産総研・強相関電子技術研究センター:松下電器産業
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塩嵜 忠
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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塩嵜 忠
奈良先端大物質科
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岡村 総一郎
奈良先端大物質創成
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岡村 総一郎
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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飯島 賢二
松下電器産業(株)
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川分 康博
松下電器中研
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Shiosaki Tadashi
Research Development Division Sakai Chemical Industry Co. Ltd.
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仲山 寛
奈良先端科学技術大学院大学
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川分 康博
松下電器 先端技術研究所
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入江 庸介
松下電器産業(株)中央研究所
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小田川 明弘
松下電器産業(株) 先端技術研究所 ナノテクノロジー研究所
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竹内 学
奈良先端科学技術大学院大学
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小田川 明弘
松下電器産業(株)中央研究所
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青野 暁史
松下電器産業(株)
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青野 暁史
松下電器
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竹内 学
新潟大学消化器内科
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足立 秀明
松下電器産業(株) 先端技術研究所
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松田 大
奈良先端科学技術大学院大学
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足立 秀明
松下電器中研
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小田川 明弘
松下電器 先端技術研究所
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渡辺 秀樹
北海道医療大学薬学部
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榊間 博
松下電器先端技術研究所
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浜田 弘一
北大工
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廣田 榮一
北大工
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榊間 博
松下電器
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杉田 康成
松下電器 先端技術研究所
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杉田 康成
松下電器中研
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廣田 榮一
松下電器産業(株)中央研究所
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入江 庸介
松下電器 中央研究所
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広田 栄一
松下電器産業(株)無線研究所
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黒江 章郎
松下電器産業株式会社映像研究所
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渡辺 秀樹
北海道医療大
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足立 秀明
松下電器産業 先端技研
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小川 裕子
松下電器
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足立 秀明
奈良先端科学技術大学院大学
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岡本 総一郎
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
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廣田 榮一
松下電器中研
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瀬恒 謙太郎
松下電器 先端技術研究所
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市川 洋
松下電器産業(株)中央研究所
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足立 秀明
松下電器先端技術研究所
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松川 望
松下電器先端技術研究所
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小田川 明弘
松下電器先端技術研究所
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新庄 輝也
大阪大学大学院基礎工学研究科
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浜田 弘一
北大理
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瀬垣 謙太郎
松下電器産業(株)中央研究所
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横山 和夫
松下電器産業(株)中央研究所
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小林 深
松下電器産業株式会社材料研究所
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広田 栄一
松下電器産業株式会社材料研究所
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黒江 章郎
松下電器産業(株)映像音響情報研究所
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松川 望
松下電器・先端研
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瀬垣 謙太郎
松下電器 先端技術研究所
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長町 信治
島津けいはんな研
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石田 巌
北大院工
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浜田 弘一
北大 工
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岡田 亜紀良
北大工
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東陰地 賢
松下電器産業株式会社映像研究所
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石田 巖
北大工
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榊間 博
松下中研
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里見 三男
松下中研
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小林 深
松下電器産業(株)中央研究所
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三谷 覚
松下電器産業(株)
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辻 弘恭
松下電器
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川分 泰博
松下電器産業(株)中央研究所
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里見 三男
松下電器先端技術研究所
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杉田 康成
松下電器先端技術研究所
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川分 康博
松下電器先端技術研究所
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平本 雅祥
松下電気産業(株)中央研究所
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松川 望
松下電気産業(株)中央研究所
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榊間 博
松下電気産業(株)中央研究所
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里見 三男
松下電器, 中研
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杉田 康成
松下電器, 中研
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川分 康博
松下電器, 中研
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榊間 博
松下電器, 中研
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上田 雅弘
島津けいはんな研
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沢井 英昌
松下電器産業(株)中央研究所
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黒江 章郎
松下電器中研
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榊間 博
松下電器材料研
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先納 治文
松下電器材料研
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広田 栄一
松下電器材料研
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川分 康博
松下電器
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東陰地 賢
松下電器産業(株)映像研究所
-
黒江 章郎
松下電器産業(株) Avc商品開発センタ
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広田 栄一
松下電器無線研
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小林 深
松下電器産業 中研
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杉田 康成
松下電器
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広田 栄一
松下電器産業(株)材料研究所
著作論文
- エピタキシャルFe_3O_4ピニング層を用いたスピンバルブ膜の磁気抵抗効果
- Fe_3O_4磁性層を用いた強磁性トンネル接合の結晶方位依存性
- Fe_3O_4磁性層を用いた強磁性トンネル接合の作製
- エピタキシャルRFeO_3反強磁性層を用いたスピンバルブ膜の方位依存性
- 反強磁性ペロブスカイトを用いたスピンバルブ膜のMR特性
- 24aPS-55 2重ペロブスカイトSr-Fe-Mo-O薄膜の粒界トンネリング磁気抵抗特性
- 18pPSB-40 Fe_3O_4を用いたスピン依存トンネル接合の温度特性
- エピタキシャルYFeO_3反強磁性層を用いたスピンバルブ膜の方位依存性
- [Co/Cu], [NiFeCo/Cu]多層膜の強磁性共鳴
- 2p-PSB-42 [NiFeCo/Cu/CO]の多層膜の強磁性共鳴
- TMR素子の磁化反転磁界抑制の検討
- 超薄酸化膜を用いたPtMn系反射型スピンバルブ膜のMR特性
- α-Fe_2O_3スピンバルブ膜の金属キャップ層によるGMR比の増大
- PtMnスピンバルブ膜の極薄酸化物層と下地層によるMR特性
- トンネル接合における磁気抵抗, 磁気特性のAlOx厚依存
- TMR素子の抗磁力の抑制
- TMR素子特性に与える接合形状の効果
- FeSiAl/AlOx/FeCoトンネル接合の磁気抵抗
- FeSiAl酸化膜を用いた強磁性トンネル接合の検討
- 積層フェリ固定層を用いたα-Fe_2O_3スピンバルブ膜の熱安定性
- 積層フェリ固定層を用いたα-Fe_2O_3系スピンバルブ膜の薄膜化と高ピンニング磁界化
- 26aYQ-1 PtMn及びα-Fe_2O_3系スピンバルブ膜に於ける酸化物反射膜によるGMRの増大効果
- 29a-J-12 Co/Ru/Co積層フェリ固定層を用いたα-Fe_2O_3スピンバルブ膜のMR特性
- PRS法で作製したFeSi/FeSiO多層膜の軟磁気特性
- PRS法で作製したFeSi/FeSiO多層膜の軟磁気特性
- 酸化物反強磁性体α-Fe_2O_3を用いたデュアルスピンバルブのMR特性
- α-Fe_2O_3/Ni-Fe/Co/Cu/Co/Ni-Feスピンバルブ膜のMR特性
- [α-Fe_2O_3/Co/Cu/Co]系GMR膜のMR特性
- 鏡面反射によるGMR効果の増大
- パレス反応性スパッタリングによるFe/Fe-O人工格子膜作成と界面の熱安定性
- 2p-X-1 酸化物反射膜を用いたスピンバルブ膜のGMR特性
- MBE法により作製した〔Ni-Fe/Cu/Co〕膜のAgキャップ層によるMR比増加効果
- [NiCoFe/Cu/Co]スパッタ膜におけるCu/Ag反射膜によるGMR増大
- 界面反射膜によるMR比増大のシミュレーション
- CoMnBアモルファス合金を用いたスピンバルブ膜のMR特性
- CoMnB/Co(Fe)/Cu/Co(Fe)系人工格子膜のMR特性
- スピンバルブ膜を用いたメモリー素子
- GMRを用いた固体メモリー
- 金属人工格子膜の膜面垂直MR特性
- スピンバルブMR膜を用いたメモリー素子
- エピタキシャルSM/NM/HM(/NM)人工格子膜のMR特性SM=NiFe, NM=Cu, Cu/Ag/Cu, HM=Co, Co/CoPt
- Co_Fe_X/Cu/NiCoFe系スピンバルブ膜のMR特性
- 集束イオンビーム蒸着による [Co/Cu] 人工格子膜のMR特性
- 29a-PS-49 スピンバルブMR膜を用いたメモリー素子
- エピタキシャルM/Cu人工格子膜の磁気抵抗効果(M=NiFe,NiFeCo,CoFe)
- 超高真空蒸着装置で作製した金属人工格子薄膜の磁気特性
- 巨大磁気抵抗人工格子の材料学的展開-2-Ni-Fe-Co/Cu(/Co)系 (金属人工格子の構造,物性とその応用)
- スパッタアモルファスビデオヘッド
- 13p-W-6 回転磁界中で作成した非晶質合金スパッター膜の諸特性
- 2p-R-13 非晶質合金の安定性
- 磁性体における界面の役割:スピンバルブの実例 (特集:表面・界面科学研究)
- 研究の愉しさ