エピタキシャルM/Cu人工格子膜の磁気抵抗効果(M=NiFe,NiFeCo,CoFe)
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概要
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Si(100)および(111)単結晶基板上にバッファー層を介してエピタキシャルM, Cu人工格子膜(M=NiFe,NiFeCo,CoFe)をMBE法で作製した。成膜中はRHEED、膜形成後は、電子線回折等で確認したところ良好なエピタキシャル膜が形成されていた。また磁気抵抗効果を測定したところ、M/Cu人工格子膜は、NiFe,NiFeCo,CoFeのいずれの場合にも、(100),(111)両方位とも、巨大磁気抵抗効果を示した。更にNiFe/Cu人工格子膜について検討すると、(100),(111)両方位の膜とも、MR比がCuの膜厚に対してRKKY的な振動を示した。特に(100)方位の膜は長周期だけでなく短周期の振動を示唆するピークが見られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-12-08
著者
-
里見 三男
松下電器 先端技術研究所
-
入江 庸介
松下電器中研
-
榊間 博
松下電器 中尾研
-
榊間 博
松下電器産業(株)中尾研究所
-
川分 康博
松下電器産業(株)
-
里見 三男
松下電器産業(株)
-
入江 庸介
松下電器産業(株)中央研究所
-
榊間 博
松下電器先端技術研究所:奈良先端科学技術大学院大学
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