入江 庸介 | 松下電器中研

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概要

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• 松下電器中研の論文著者

関連著者

• 入江 庸介

  松下電器中研

• 榊間 博

  松下電器 中尾研

• 里見 三男

  松下電器 先端技術研究所

• 里見 三男

  松下電器産業(株)

• 榊間 博

  松下電器先端技術研究所:奈良先端科学技術大学院大学

• 川分 康博

  松下電器産業(株)

• 榊間 博

  松下電器中研

• 榊間 博

  松下電器産業(株)中尾研究所

• 入江 庸介

  松下電器産業(株)中央研究所

• 榊間 博

  奈良先端科学技術大学院大学

• 里見 三男

  松下電器中研

• 川分 康博

  松下電器中研

• 榊間 博

  奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科:松下電器産業(株)先端技術研究所

• 川分 康博

  松下電器 先端技術研究所

• 入江 庸介

  松下電器 中央研究所

• 長町 信治

  島津けいはんな研

• 上田 雅弘

  島津けいはんな研

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著作論文

• CoMnB/Co(Fe)/Cu/Co(Fe)系人工格子膜のMR特性
• スピンバルブ膜を用いたメモリー素子
• GMRを用いた固体メモリー
• 金属人工格子膜の膜面垂直MR特性
• スピンバルブMR膜を用いたメモリー素子
• エピタキシャルSM/NM/HM(/NM)人工格子膜のMR特性SM=NiFe, NM=Cu, Cu/Ag/Cu, HM=Co, Co/CoPt
• Co_Fe_X/Cu/NiCoFe系スピンバルブ膜のMR特性
• 集束イオンビーム蒸着による [Co/Cu] 人工格子膜のMR特性
• 29a-PS-49 スピンバルブMR膜を用いたメモリー素子
• エピタキシャルM/Cu人工格子膜の磁気抵抗効果(M=NiFe,NiFeCo,CoFe)
• 超高真空蒸着装置で作製した金属人工格子薄膜の磁気特性

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