足立 秀明 | 松下電器中研
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概要
関連著者
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足立 秀明
松下電器中研
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足立 秀明
松下電器産業(株)先端技術研究所
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足立 秀明
松下電器産業先端研
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足立 秀明
松下電器 先端技術研究所
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足立 秀明
松下電器 先端研
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榊間 博
奈良先端科学技術大学院大学
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里見 三男
松下電器中研
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榊間 博
松下電器中研
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里見 三男
松下電器 先端技術研究所
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榊間 博
松下電器 中尾研
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里見 三男
松下電器産業(株)
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榊間 博
松下電器先端技術研究所:奈良先端科学技術大学院大学
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榊間 博
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科:松下電器産業(株)先端技術研究所
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塩嵜 忠
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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塩嵜 忠
奈良先端大物質科
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岡村 総一郎
奈良先端大物質創成
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岡村 総一郎
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
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足立 秀明
松下先端研
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仲山 寛
奈良先端科学技術大学院大学
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廣田 榮一
松下電器中研
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和佐 清孝
横浜市立大学理学部
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羽根田 陽子
地球環境研
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廣田 榮一
松下電器 先端技術研究所
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三露 常男
松下電器中研
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和佐 清孝
松下電器中研
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Shiosaki Tadashi
Research Development Division Sakai Chemical Industry Co. Ltd.
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三露 常男
松下電器中央研究所
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和佐 清孝
松下電器中央研究所
著作論文
- エピタキシャルRFeO_3反強磁性層を用いたスピンバルブ膜の方位依存性
- 反強磁性ペロブスカイトを用いたスピンバルブ膜のMR特性
- ペロブスカイト薄膜の微細構造と制御
- E-5 PLZTエピタキシャル薄膜の弾性表面波特性(弾性表面波とデバイスII)