赤穂 博司 | 産総研・強相関電子技術セ
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概要
関連著者
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赤穂 博司
産総研・強相関電子技術セ
-
佐藤 弘
産総研・強相関電子技術セ
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赤穗 博司
産総研CERC
-
仲川 博
独立行政法人産業技術総合研究所
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佐藤 広海
理研
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加藤 博
理研
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渡辺 博
理研
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川井 和彦
理化学研究所
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井上 公
産業技術総合研究所 強相関電子研究センター
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大谷 知行
理化学研究所
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川井 和彦
理化学研究所戎崎計算宇宙物理研究室
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石橋 健二
九州大学
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山田 寿一
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
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前畑 京介
九大・工
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石橋 健二
九大・工
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田井野 徹
埼玉大学大学院理工学研究科
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山田 寿一
産総研
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山田 浩之
産総研
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川崎 雅司
産総研・強相関電子技術セ
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十倉 好紀
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
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石橋 健二
九州大学大学院工学研究院エネルギー量子工学部門
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石井 裕司
東工大理工
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赤穂 博司
電子技術総合研究所
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高田 進
埼玉大学大学院理工学研究科
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大谷 知行
理研
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川井 和彦
理研
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清水 裕彦
理研
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池田 時浩
理研原子物理
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奥 隆之
理研
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宮坂 浩正
理研
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仲川 博
電子技術総合研究所
-
瀧澤 慶之
理化学研究所
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大谷 航
理研
-
松岡 勝
理研
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赤穂 博司
電総研
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仲川 博
電総研
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高田 進
埼玉大工
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木野 幸浩
理学電機
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稲葉 克彦
理学電機
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甲野藤 真
産総研
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井上 公
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
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高木 英典
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
-
甲野藤 真
産総研エレクトロニクス研究部門
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滝澤 慶之
理化学研究所
-
松岡 勝
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部
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石井 裕司
産総研CERC
-
池田 時浩
理研
-
青柳 昌宏
電子技術総合研究所
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佐藤 広海
理化学研究所
-
奥 隆之
理化学研究所
-
加藤 博
理化学研究所
-
宮坂 浩正
理化学研究所
-
渡辺 博
理化学研究所
-
清水 裕彦
理化学研究所
-
青柳 昌宏
電総研
-
石橋 健二
九大工
-
前畑 京介
九大工
-
田井野 徹
九大工
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山田 浩之
産総研・強相関電子技術セ
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石井 裕司
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
-
上野 和紀
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
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金子 良夫
ERATO
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十倉 好紀
産総研CERC
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佐藤 弘
電子技術総合研究所
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池田 時浩
理化学研究所
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山田 寿一
産総研光技術
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大谷 知行
理研テラヘルツイメージング研究チーム
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大谷 知行
Ntt移動通信網(株)
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澤 彰仁
産総研・強相関電子技術研究センタ-
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OTANI Chiko
The Institute of Physical and Chemical Research (RIKEN)
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貴田 徳明
ERATO・マルチフェロイックス
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赤穂 博司
産総研強相関セ
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大谷 知行
理化学研究所 テラヘルツイメージング研究チーム
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田井野 徹
九州大学
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前畑 京介
九州大学
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瀧澤 慶之
理研
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大谷 航
理化学研究所
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秋永 広幸
産業技術総合研究所
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川崎 雅司
産総研CERC
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小田川 明弘
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
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赤穂 博司
産総研CERC
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佐藤 弘
産総研CERC
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赤穂 博司
産業技術総合研究所強相関電子研究センター
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十倉 好紀
ERATO-MF
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松原 正和
産総研
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滝澤 慶之
理研
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十倉 好紀
産総研ナノ機能合成プロ
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川崎 雅司
理研cmrg:東北大金研
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于 秀珍
物材機構-ancc
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宝川 幸司
神奈川工科大工学部
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川崎 雅司
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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菅野 勉
松下先端技術
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四橋 聡史
パナソニック(株)先端技術研究所
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小池 和幸
北大理
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川崎 雅司
JST-ERATO
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赤穗 博司
産総研
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十倉 好紀
JST-ERATO
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甲野藤 真
産総研CERC
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有馬 孝尚
ERATO-SSS
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松原 正和
産総研・強相関電子技術セ
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金子 良夫
Erato-mf
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小池 和幸
産総研CERC
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澤 彰仁
産総研CERC
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于 秀珍
ERATO-ESS
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井上 公
産総研CERC
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中野 貴司
シャープ株式会社 技術本部
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小田川 明弘
産総研CERC
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石井 祐司
産総研CERC
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足立 秀明
松下先端技研
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四橋 聡史
松下先端技術
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佐藤 弘
産業技術総合研究所強相関電子技術研究センター
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足立 秀明
松下電器産業(株)先端技術研究所
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足立 秀明
松下電器産業先端研
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大西 哲也
シャープ株式会社 技術本部
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細井 康成
シャープ株式会社技術本部
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玉井 幸夫
シャープ株式会社技術本部
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石原 数也
シャープ株式会社技術本部
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渋谷 隆広
シャープ株式会社技術本部
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井上 雄史
シャープ株式会社技術本部
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山崎 信夫
シャープ株式会社技術本部
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大西 茂夫
シャープ株式会社技術本部
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粟屋 信義
シャープ株式会社技術本部
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島 久
産業技術総合研究所ナノテクノロジー研究部門
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高木 英典
産業技術総合研究所強相関電子研究センター
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十倉 好紀
産業技術総合研究所強相関電子研究センター
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井上 雄史
シャープ株式会社 技術本部
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島 久
産業技術総合研究所
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秋永 広幸
産業技術総合研
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山本 寛
日本大学理工学部
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澤 彰仁
産総研
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井上 公
産総研強相関セ
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保田 周一郎
産総研ナノテク
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秋永 広幸
産総研ナノ機能合成プロ
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高木 英典
産総研ナノ機能合成プロ
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中村 優男
理研CMRG
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石田 洋一
東京工業大学 応用セラミックス研究所
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沖本 洋一
東工大院理工
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青柳 昌宏
独立行政法人産業技術総合研究所
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鯉沼 秀臣
東京工業大学工業材料研究所
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鯉沼 秀臣
東工大工材研
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鯉沼 秀臣
東京大学工学部工業化学科
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Lippmaa Mikk
東大 物性研
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何 金萍
ERATO-MF
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十倉 好紀
産総研強相関電子技術研究センター
-
池田 時広
理化学研究所
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佐藤 弘
電総研
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青柳 昌弘
電総研
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木野 幸治
理学電機
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石橋 健二
九州大工
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前畑 京介
九州大工
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田井野 徹
九州大工
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滝沢 慶之
理化学研究所
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甲野 藤真
産総研
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川崎 雅司
ERATO-MF
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貴田 徳明
科技構・ERATO
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有馬 孝尚
科技構・ERATO
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十倉 好紀
科技構・ERATO
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石井 裕司
産総研
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石井 裕司
産総研強相関電子技術研究センター(CERC)
-
山田 浩之
産総研強相関電子技術研究センター(CERC)
-
澤 彰仁
産総研強相関電子技術研究センター(CERC)
-
佐藤 弘
産総研強相関電子技術研究センター(CERC)
-
山田 寿一
産総研強相関電子技術研究センター(CERC)
-
川崎 雅司
産総研強相関電子技術研究センター(CERC)
-
土倉 好紀
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
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十倉 好紀
産総研cerc:jst-erato:東大工
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富岡 泰秀
産総研
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藤本 英司
産総研CERC
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中村 優男
産総研CERC
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明連 広昭
埼玉大学大学院理工学研究科
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何 金萍
Erato-jst
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甲野 藤真
産総研エレクトロニクス研究部門
-
秋永 広幸
産総研ナノテク
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富岡 泰秀
産総研CERC
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高田 進
埼玉大学工学部
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明連 広昭
埼玉大学 工学部
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高田 進
埼玉大学 工学部
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菊地 克弥
産業技術総合研究所つくば中央第二事業所
-
仲川 博
産業技術総合研究所つくば中央第二事業所
-
所 和彦
産業技術総合研究所つくば中央第二事業所
-
青柳 昌宏
産業技術総合研究所つくば中央第二事業所
-
石田 洋一
東京大学工学部
-
石橋 健二
九州大学工学府
-
井上 公
JST
-
菅野 勉
JST
-
四橋 聡史
産総研CERC
-
于 秀珍
松下先端技研
-
金子 良夫
松下先端技研
-
赤穂 博司
ERATO-SSS
-
于 秀珍
ATRL-Matsushita Electric Ind. Co. Ltd.
-
金子 良夫
ATRL-Matsushita Electric Ind. Co. Ltd.
-
藤本 英司
産総研・強相関電子技術研究センタ-
-
青柳 昌宏
独立行政法人 産業技術総合研究所
-
青柳 昌宏
産業技術総合研究所・研究グループ
-
菊地 克弥
独立行政法人産業技術総合研究所
-
中島 勉
神奈川工科大学
-
藤本 英司
産業技術総合研究所強相関電子技術研究センター
-
赤穗 博司
産業技術総合研究所強相関電子技術研究センター
-
宝川 幸司
神工大工学部
-
佐藤 勇一郎
株式会社神和開発部
著作論文
- 20aYH-5 電気抵抗スイッチング現象の強相関モデル((Mn系2(マルチフェロイック・薄膜・デバイス),領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 18aZB-1 三色酸化物超格子回折格子における光学的電気磁気効果の観測(強相関係・低次元物質・誘電体・磁性体,領域5,光物性)
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(新メモリ技術とシステムLSI)
- 高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- C-8-4 コイル集積型超伝導トンネル接合によるX線の検出
- マイクロストリップコイル付き超伝導トンネル接合素子を用いたX線検出
- 26pYA-9 超伝導トンネル接合を用いたX線検出器の開発(VII)
- 30p-XJ-10 超伝導トンネル接合を用いたX線検出器の開発 (IV)
- 28a-YK-6 超伝導トンネル接合を用いたX線検出器に開発(VI)
- X線検出器用磁場コイル付き超伝導トンネル接合の作製
- 26a-K-4 超伝導トンネル接合を用いたX線検出器の開発(III)
- 26a-K-3 超伝導トンネル接合を用いたX線検出器の開発(II)
- 26a-K-2 超伝導トンネル接合を用いたX線検出器の開発(I)
- 20aXA-1 RuドープLa_Sr_MnO_3の磁気異方性の変化と表面ナノドメインの形成(20aXA 領域9,領域3合同 表面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aXA-1 RuドープLa_Sr_MnO_3の磁気異方性の変化と表面ナノドメインの形成(20aXA 領域9,領域3合同 表面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- Mn酸化物でのトンネル磁気抵抗素子
- 23pZQ-9 (La,Sr)MnO_3/LaAlO_3/(La,Sr)CoO_3接合における負のトンネル磁気抵抗とスピン偏極トンネル分光(23pZQ Mn系2,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 13aWB-7 界面電荷変調層 (La, Sr) MnO_3/LaMnO_3 を強磁性電極としたスピントンネル接合(薄膜・人工格子磁性, 領域 3)
- 27aZP-9 ペロブスカイト型遷移金属酸化物界面の電界効果(領域7,領域8合同 : 分子デバイスI)(領域7)
- 27aZP-9 ペロブスカイト型遷移金属酸化物界面の電界効果(領域7,領域8合同 分子デバイスI)(領域8)
- 21pTP-4 SrTiO_3 への電界効果ドーピング : 低温金属相
- 21pXB-13 極性磁性体回折格子による光学的電気磁気効果の観測(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 21aPS-87 スピン偏極SEMによるLa_Sr_MnO_3薄膜の高分解能実空間スピン計測(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 27pZP-11 電極/Pr_Ca_MnO_3薄膜/電極構造におけるヒステリシス伝導特性(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
- 27pZP-11 電極/Pr_Ca_MnO_3薄膜/電極構造におけるヒステリシス伝導特性(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
- 28pXR-7 LaAlO_3バリアを用いた(La,Sr)MnO_3スピントンネル接合(スピン注入,トンネル接合,微小領域磁性)(領域3)
- 28aZG-2 SrTiO_3 への電界効果ドーピング : ウェットプロセス
- 28aWH-8 表面析出物のない下部電極を用いた La_Sr_xMnO_3 スピントンネル接合
- 全YBaCuO積層型接合を用いたSQUIDゲート
- 24aPS-30 スピン偏極SEMによるLa_Sr_MnO_3単結晶の実空間スピン計測(24aPS 領域8ポスターセッション(低温),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 13pWB-14 ミクロン加工磁性超構造体における磁気カイラル回折光の観測(微小領域磁性, 領域 3)
- 22aWA-6 サブミクロン加工超構造体の磁気光学
- Improved abrication Method for Nb/Al/AIO_x/Al/Nb Superconducting Tunnel Junctions as X-Ray Detectors
- Properties of Substrate Phonon Events in Superconducting Tunnel Junctions Induced by X-Ray Absorption
- 超伝導集積回路チップ用多チャンネル高速テスト冶具
- 21pXB-13 極性磁性体回折格子による光学的電気磁気効果の観測(領域5,領域1合同フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 高温超伝導体積層型SISジョセフソン接合と酸化物界面工学
- 正規分布形状STJを用いたコイル集積型超伝導X線検出器の作製
- Arプラズマを用いたYBaCuO積層型接合の作製
- c軸配向YBaCuO積層型ジョセフソン接合の作製
- YBaCuO積層型ジョセフソン接合の研究開発 (特集 超電導特集) -- (超電導素子化技術開発)
- Injection-Detection Experiments to Study Diffusion Processes in Nb film using a Three Terminal in-plane Superconducting Double-Tunnel Junctions
- Coverage Properties of Nb/Al films made by Electron Cyclotron Resonance
- 電子サイクロトロン共鳴スパッタリングシステムにより作成したニオブとアルミ薄膜の特性
- X線検出器用マイクロストリップコイル付き超伝導トンネル接合の作製
- 超伝導トンネル接合素子を用いた放射線検出器の開発
- 7aXD-9 電界効果ドーピングによる物性制御 II(Mn系・ダブルペロブスカイト(相制御・電界効果),領域8)
- 25pWA-12 遷移金属酸化物への電界効果ドーピングの試み(25pWA その他(光電子分光,薄膜,電界効果など),領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))