山田 寿一 | 産総研

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概要

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関連著者

• 山田 寿一

  産総研

• 長谷川 達生

  産総研

• 長谷川 達生

  産総研光技術

• 山田 寿一

  産総研光技術

• 松井 弘之

  産総研:東大新領域

• 長谷川 達生

  産業技術総合研究所 光技術研究部門

• 十倉 好紀

  産総研:東大工

• 松井 弘之

  産総研

• 十倉 好紀

  Erato-mf:産総研:東大工:理研cmrg

• 堤 潤也

  産総研

• 長谷川 達生

  産総研CERC

• 十倉 好紀

  産総研CERC

• 山田 寿一

  産総研CERC

• 斉藤 軍治

  名城大

• 赤穂 博司

  産総研・強相関電子技術セ

• 平岡 牧

  産総研CERC

• 斎藤 軍司

  京大院理

• 斎藤 軍治

  京大理

• 松井 弘之

  東大院新領域

• 斉藤 軍治

  京大低物セ:京大院理

• 齋藤 軍治

  名城大

• 佐藤 弘

  産総研・強相関電子技術セ

• 山田 寿一

  産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)

• HAAS Simon

  産総研

• 佐藤 弘

  独立行政法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター

• 高橋 幸裕

  北大院理

• 赤穂 博司

  産業技術総合研究所 強相関電子研究センター

• 山田 寿一

  産総研・強相関電子技術セ

• 川崎 雅司

  産総研・強相関電子技術セ

• 十倉 好紀

  産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)

• 山田 寿一

  産総研強相関電子技術研究センター(CERC)

• 赤穗 博司

  産総研CERC

• 齋藤 軍治

  名城大総研

• 堀内 佐智雄

  産総研CERC

• 堀内 佐智雄

  京大理

• 高橋 幸裕

  産総研CERC

• 金井 直之

  富士電機ホールディングス

• 十倉 好紀

  産総研・強相関電子技術セ:東大工

• 熊井 玲児

  産総研

• 山田 浩之

  産総研

• 石井 裕司

  東工大理工

• 斉藤 軍治

  京大院理

• 阿部 恭

  産総研CERC

• 井上 公

  産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)

• 上野 和紀

  産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)

• 高木 英典

  産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)

• 井上 公

  産業技術総合研究所 強相関電子研究センター

• 熊井 玲児

  産総研光技術

• 熊井 玲二

  産総研強相関電子技術研究センター

• Kumai Reiji

  Department Of Pure And Applied Sciences Graduate School Of Arts And Sciences. The University Of Toky

• 上野 和紀

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構

• 石井 裕司

  東工大理

• 金井 直之

  富士電機

• 芥川 智行

  北大電子研

• 中村 貴義

  北大電子研

• 斎藤 軍治

  京大院理

• 山田 浩之

  産総研・強相関電子技術セ

• 石井 裕司

  産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)

• 小田川 明弘

  産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)

• 山田 寿一

  産総研PRI

• 長谷川 達生

  産総研PRI

• 澤 彰仁

  産総研・強相関電子技術研究センタ-

• 赤穂 博司

  産総研

• 小田川 明弘

  産総研・強相関電子技術研究センター:松下電器産業

• 峯廻 洋美

  産総研光技術

• 堀内 佐智雄

  産総研

• 十倉 好紀

  産総研ナノ機能合成プロ

• 奥田 哲治

  鹿児島大院理:presto

• 奥田 哲治

  鹿児島大学院理工

• 寺田 教男

  鹿児島大学院理工

• 寺田 敏男

  鹿児島大学理工

• 寺田 教男

  鹿児島大理工

• 有馬 智行

  鹿児島大学院理工

• 新東 晋

  鹿児島大学大学院理工学研究科ナノ構造先端材料工学専攻

• 山田 寿一

  強相関電子技術センター(CERC)

• 赤穂 博司

  鹿児島大学大学院理工学研究科ナノ構造先端材料工学専攻

• 西村 一国

  京大院理

• 熊井 玲児

  産総研CERC

• 甲野藤 真

  産総研

• 寺田 教男

  鹿児島大院理工

• 甲野藤 真

  産総研エレクトロニクス研究部門

• 所 和彦

  産総研PRI

• 高橋 幸裕

  産総研光技術

• 松井 弘之

  産総研CERC

• 石井 裕司

  産総研CERC

• 赤穂 博司

  鹿児島大学大学院理工学研究科ナノ構造先端材料工学専攻:強相関電子技術センター

• 小池 和幸

  北大院理:jst

• 小池 和幸

  産総研・強相関電子技術セ

• 寺田 教男

  鹿児島大学

• 十倉 好紀

  産総研-CERC

• 千葉 亮輔

  産総研光技術

• Haas S.

  産総研

• 千葉 亮輔

  産総研光技術:東大

• 峯廻 洋美

  産総研FLEC

• 十倉 好紀

  産総研 CERC:東大工

• 山本 寛

  日本大学理工学部

• 澤 彰仁

  産総研

• 赤穂 博司

  産総研強相関セ

• 沖本 洋一

  東工大院理工

• 松井 弘之

  産総研光技術

• 矢持 秀起

  京大理

• 十倉 好紀

  産総研強相関電子技術研究センター

• 矢持 秀起

  Jst-erato:京大低物セ

• 矢持 秀樹

  京大理

• 佐藤 弘

  電子技術総合研究所

• 赤穂 博司

  電子技術総合研究所

• 石井 裕司

  産総研強相関電子技術研究センター(CERC)

• 山田 浩之

  産総研強相関電子技術研究センター(CERC)

• 澤 彰仁

  産総研強相関電子技術研究センター(CERC)

• 佐藤 弘

  産総研強相関電子技術研究センター(CERC)

• 川崎 雅司

  産総研強相関電子技術研究センター(CERC)

• 土倉 好紀

  産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)

• 池田 光

  産総研PRI

• 松井 弘之

  東大院工

• 矢持 秀起

  京大低温セ

• 松井 弘之

  産総研PRI

• Haas Simon

  産総研PRI

• 松井 弘之

  AIST

• 長谷川 達生

  AIST

• 平岡 牧

  AIST

• 山田 寿一

  AIST

• 十倉 好紀

  AIST

• 藤本 英司

  産総研・強相関電子技術研究センタ-

• KUMAI Reiji

  Joint Research Center for Atom Technology (JRCAT)

• 貴田 徳明

  SSS-ERATO

• 甲野藤 真

  CERC

• 沖本 洋一

  産総研・強相関電子技術セ

• 有馬 孝尚

  筑波大・物質工

• 貴田 徳明

  科技団・ERATO-SSS

• 甲野藤 真

  科技団・ERATO-SSS

• 有馬 孝尚

  科技団・ERATO-SSS

• 十倉 好紀

  科技団・ERATO-SSS

• 金田 孝彦

  日本大学

• 山田 寿一

  産業技術融合領域研究所

• 野田 祐樹

  北大院環境科学

• 山本 寛

  日本大学

• 藤本 英司

  産総研cerc:jst-crest

• 堤 潤也

  産総研光技術

• Haas Simon

  産総研光技術

• 瀧宮 和男

  理研

• 野田 祐樹

  産総研

• 松崎 弘幸

  産総研

• 井川 光弘

  産総研

• 熊井 玲児

  高エネ機構物構研PF/CMRC

• 熊井 玲児

  高エネ機構物構研CMRC:産総研:JST-CREST

• 尾坂 格

  理研

• 甲野藤 真

  SSS-ERATO/JST

• 熊井 玲児

  物構研

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著作論文

• 21pGS-13 低閾電圧ボトムコンタクト有機薄膜トランジスタの開発(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pGS-12 CT錯体単結晶における励起子電荷分離観測(21pGS 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pZP-7 有機トランジスタと不揮発性有機メモリの開発I(領域7,領域8合同 : 分子デバイスII)(領域7)
• 27pZP-7 有機トランジスタと不揮発性有機メモリの開発I(領域7,領域8合同 分子デバイスII)(領域8)
• 13aWB-7 界面電荷変調層 (La, Sr) MnO_3/LaMnO_3 を強磁性電極としたスピントンネル接合(薄膜・人工格子磁性, 領域 3)
• 27aZP-9 ペロブスカイト型遷移金属酸化物界面の電界効果(領域7,領域8合同 : 分子デバイスI)(領域7)
• 27aZP-9 ペロブスカイト型遷移金属酸化物界面の電界効果(領域7,領域8合同 分子デバイスI)(領域8)
• 21pTP-4 SrTiO_3 への電界効果ドーピング : 低温金属相
• 22pTB-11 静電転写印刷プロセス法を用いた有機薄膜トランジスタの開発(22pTB 有機FET2・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pTB-10 HMTTF高移動度薄膜トランジスタの開発(22pTB 有機FET2・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pTG-11 金属有機界面と有機FETトランジスタのオン/オフ挙動(有機FET,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21pRB-6 TTF系高移動度材料を用いた有機電界効果型トランジスタ(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21pRB-7 界面エンジニアリングによるTTF系薄膜トランジスタの開発(3)(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21pRB-8 インクジェット有機電極によるペンタセン薄膜トランジスタの低電圧動作の起源(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aRJ-1 D-Aダブルショットインクジェット法による高導電性有機薄膜電極(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26pYF-1 インクジェット有機金属電極を利用する有機薄膜トランジスタの動作特性3(26pYF 分子素子,有機FET 2,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27pYD-12 電荷移動錯体系ナローギャップ半導体による光電変換(界面・分子デバイス3,領域7,分子性固体・有機導体)
• 30aYG-1 HMTTF高移動度薄膜トランジスタの開発(II)(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pTG-12 ケルビンプローブ法による有機FETチャネル層の局所的電荷蓄積現象の観測(有機FET,領域7,分子性固体・有機導体)
• 25pTG-13 界面制御した有機薄膜内ポーラロンの電界誘起ESR(有機FET,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21pRB-9 ペンタセン薄膜トランジスタの電子スピン共鳴スペクトルにおけるMotional Narrowing効果(有機FET2,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aRJ-3 ペンタセン薄膜トランジスタにおけるドーピング制御とスピン状態観測(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 21aRJ-2 界面エンジニアリングによるTTF系薄膜トランジスタの開発(2)(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
• 26aYF-12 界面エンジニアリングによるTTF系薄膜トランジスタの開発(26aYF 分子素子,有機FET 1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aZP-7 電荷移動錯体系材料を用いた分子性デバイスI : 薄膜(領域7,領域8合同 : 分子デバイスI)(領域7)
• 28pRC-17 インクジェット有機金属電極を利用する有機薄膜トランジスタの動作特性2(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21aXA-5 インクジェット有機金属電極を利用する有機薄膜トランジスタの動作特性(有機FET,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pXR-7 LaAlO_3バリアを用いた(La,Sr)MnO_3スピントンネル接合(スピン注入,トンネル接合,微小領域磁性)(領域3)
• 28aZG-2 SrTiO_3 への電界効果ドーピング : ウェットプロセス
• 28aWH-8 表面析出物のない下部電極を用いた La_Sr_xMnO_3 スピントンネル接合
• 27aZP-7 電荷移動錯体系材料を用いた分子性デバイスI : 薄膜(領域7,領域8合同 分子デバイスI)(領域8)
• 13pWB-14 ミクロン加工磁性超構造体における磁気カイラル回折光の観測(微小領域磁性, 領域 3)
• 22aWA-6 サブミクロン加工超構造体の磁気光学
• Arプラズマを用いたYBaCuO積層型接合の作製
• 23pRL-1 CT錯体単結晶における励起子電荷分離観測II(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 23pRL-4 低閾電圧ボトムコンタクト有機薄膜トランジスタの開発II(23pRL 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pTN-6 単結晶有機半導体薄膜のダブルショット・インクジェット印刷(28pTN 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pTN-4 ペンタセン単結晶電気二重層トランジスタによる電荷変調分光(28pTN 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28pTN-3 LBIC法による有機半導体単結晶の励起子拡散・電荷分離測定(28pTN 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pTD-5 単結晶有機半導体薄膜のダブルショット・インクジェット印刷II(21pTD 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pTD-1 LBIC法による有機半導体単結晶の励起子拡散・電荷分離測定II(21pTD 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pTD-6 気液界面における単結晶有機半導体薄膜の成長(21pTD 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 21pTD-2 ペンタセン単結晶電気二重層トランジスタによる電荷変調分光II(21pTD 分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pYF-5 ペンタセン単結晶トランジスタの電荷変調分光 : イオン液体/固体ゲートの比較(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域7(分子性固体・有機導体))
• 24aCF-8 有機半導体における電荷移動ギャップ制御と励起子拡散・電荷分離(24aCF 光物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 25pYF-5 ペンタセン単結晶トランジスタの電荷変調分光 : イオン液体/固体ゲートの比較(25pYF 領域8,領域7合同 界面デバイス・相制御,領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 20pHA-1 DA型ポリマーにおける電荷移動励起子と光電変換(20pHA 太陽電池・発光デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
• 27aXP-8 DA型ポリマーにおける電荷移動励起子と光電変換II(27aXP 界面デバイス1,領域7(分子性固体・有機導体))
• 29pAN-7 DA型ポリマー半導体の電荷変調分光 : 励起子間相互作用にもとづく分子秩序評価(29pAN 界面デバイス2,領域7(分子性固体))

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