小田川 明弘 | 産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
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概要
関連著者
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山田 浩之
産総研
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山田 浩之
産総研・強相関電子技術セ
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佐藤 弘
産総研・強相関電子技術セ
-
川崎 雅司
産総研・強相関電子技術セ
-
赤穂 博司
産総研・強相関電子技術セ
-
井上 公
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
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上野 和紀
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
-
高木 英典
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
-
小田川 明弘
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
-
山田 寿一
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
-
井上 公
産業技術総合研究所 強相関電子研究センター
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山田 寿一
産総研
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上野 和紀
東北大学原子分子材料科学高等研究機構
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赤穂 博司
産業技術総合研究所 強相関電子研究センター
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小田川 明弘
産総研・強相関電子技術研究センター:松下電器産業
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佐藤 弘
独立行政法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
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山田 寿一
産総研・強相関電子技術セ
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十倉 好紀
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
-
山田 寿一
産総研光技術
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赤穗 博司
産総研CERC
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十倉 好紀
産総研・強相関電子技術セ:東大工
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土倉 好紀
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
著作論文
- 27aZP-9 ペロブスカイト型遷移金属酸化物界面の電界効果(領域7,領域8合同 : 分子デバイスI)(領域7)
- 27aZP-9 ペロブスカイト型遷移金属酸化物界面の電界効果(領域7,領域8合同 分子デバイスI)(領域8)
- 21pTP-4 SrTiO_3 への電界効果ドーピング : 低温金属相