27aZP-9 ペロブスカイト型遷移金属酸化物界面の電界効果(領域7,領域8合同 : 分子デバイスI)(領域7)
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2004-03-03
著者
-
山田 浩之
産総研
-
山田 浩之
産総研・強相関電子技術セ
-
佐藤 弘
産総研・強相関電子技術セ
-
川崎 雅司
産総研・強相関電子技術セ
-
赤穂 博司
産総研・強相関電子技術セ
-
十倉 好紀
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
-
井上 公
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
-
上野 和紀
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
-
高木 英典
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
-
小田川 明弘
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
-
山田 寿一
産総研・強相関電子技術研究センター(CERC)
-
井上 公
産業技術総合研究所 強相関電子研究センター
-
山田 寿一
産総研光技術
-
赤穗 博司
産総研CERC
-
山田 寿一
産総研
-
上野 和紀
東北大学原子分子材料科学高等研究機構
-
赤穂 博司
産業技術総合研究所 強相関電子研究センター
-
小田川 明弘
産総研・強相関電子技術研究センター:松下電器産業
-
佐藤 弘
独立行政法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
-
十倉 好紀
産総研・強相関電子技術セ:東大工
-
山田 寿一
産総研・強相関電子技術セ
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