超伝導集積回路チップ用多チャンネル高速テスト冶具
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
我々は、GHz周波数領域でデジタル・アナログ超伝導集積回路(IC)の低温環境下での動作テストに用いる多チャンネル高速テスト冶具を設計し、試作を行った。テスト冶具は、ボールグリッドアレイ(BGA)チップキャリア、脱着可能なBGAソケット、同軸配線プリント配線板、コネクター付き同軸ケーブル40本から構成される。チップキャリアは、マイクロストリップ構造の配線と接続用ハンダボール配列からなり、搭載するチップとの接続は、ワイヤーボンディングにより行われる。プリント配線板は、同軸配線構造の信号配線を有する。チップキャリアとプリント配線板における、配線の特性インピーダンスは、50Ωに設計された。BGAソケットにおいて、BGAチップキャリアとプリント配線板との電気接続に異方導電性ラバーを採用した。同軸ケーブルは、プリント配線板に直接ハンダ付け接続された。システムの構成部品は、できる限り非磁性体を用いた。高周波領域での伝送特性は4.2K、77Kの低温と室温でTDR測定とSパラメータ測定によって評価された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-01-22
著者
-
佐藤 広海
理研
-
仲川 博
独立行政法人産業技術総合研究所
-
青柳 昌宏
独立行政法人産業技術総合研究所
-
佐藤 弘
産総研・強相関電子技術セ
-
赤穂 博司
産総研・強相関電子技術セ
-
所 和彦
産業技術総合研究所つくば中央第二事業所
-
青柳 昌宏
独立行政法人 産業技術総合研究所
-
菊地 克弥
独立行政法人産業技術総合研究所
-
佐藤 勇一郎
株式会社神和開発部
-
佐藤 弘
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
所 和彦
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
赤穗 博司
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
青柳 昌宏
東京理科大学大学院:独立行政法人産業技術総合研究所
-
佐藤 弘
独立行政法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
関連論文
- 23pSM-6 パルス冷中性子集束用の強度変調型永久六極磁石の開発II(23pSM 中性子実験,素粒子実験領域)
- 27aSB-8 J-PARC BL05ビームライン用スピンフリップチョッパー(ビームライン,27aSB 素粒子実験領域,ビーム物理領域合同,素粒子実験領域)
- 微細パッドピッチのLSIチップに対応するバーンインテスト用チップキャリヤ(次世代電子機器における先端実装技術と環境調和型実装技術論文)
- 30pZF-12 超伝導トンネル接合を用いたX線検出器による多価イオンX線分光(2)
- C-8-4 コイル集積型超伝導トンネル接合によるX線の検出
- マイクロストリップコイル付き超伝導トンネル接合素子を用いたX線検出
- 25aYK-9 超伝導トンネル接合を用いたX線検出器による多価イオンX線分光
- 24pYR-5 超伝導トンネル接合素子を用いた重イオンの検出
- 26pYA-9 超伝導トンネル接合を用いたX線検出器の開発(VII)
- 30p-XJ-10 超伝導トンネル接合を用いたX線検出器の開発 (IV)
- 28a-YK-6 超伝導トンネル接合を用いたX線検出器に開発(VI)
- X線検出器用磁場コイル付き超伝導トンネル接合の作製
- 26a-K-4 超伝導トンネル接合を用いたX線検出器の開発(III)
- 26a-K-3 超伝導トンネル接合を用いたX線検出器の開発(II)
- 26a-K-2 超伝導トンネル接合を用いたX線検出器の開発(I)
- 25aYS-2 放物面型多層膜スーパーミラーによる熱・冷中性子収束光学素子の開発(X線・粒子線(X線),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 12pTJ-2 曲面多層膜スーパーミラーによる熱・冷中性子収束光学素子の開発(X 線・粒子線 : X 線・中性子線, 領域 10)
- 27aXM-1 自由曲面多層膜スーパーミラーによる中性子光学素子の開発III(フォノン物性・X線・粒子線)(領域10)
- 23pSM-2 J-PARCパルス中性子を用いた中性子干渉実験(23pSM 中性子実験,素粒子実験領域)
- 30pXD-1 自由曲面多層膜スーパーミラーによる中性子光学素子の開発 II
- 23aSD-2 理研RIBFにおける超伝導RIビームセパレーターBigRIPSの性能評価III : 粒子識別(23aSD 複合測定器・加速器,実験核物理領域)
- 23aSD-1 理研RIBFにおける超伝導RIビームセパレーターBigRIPSの性能評価II : ビームライン検出器(23aSD 複合測定器・加速器,実験核物理領域)
- Al系超伝導トンネル接合素子の作製と評価(デジタル,一般)
- 超伝導トンネル接合フォトン検出器の構造とその特性
- C-8-4 STJフォトン検出器アレイからのマイクロ波駆動信号読み出し回路の設計(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- THz波検出用基板吸収型超伝導トンネル接合素子(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- THz波検出用基板吸収型超伝導トンネル接合素子
- CS-7-3 基板吸収型STJ素子を用いたTHz波検出器(CS-7. 超伝導サブテラヘルツエレクトロニクス, エレクトロニクス2)
- 超伝導デジタル FLL 回路を用いた DROS の設計および作製
- 26pZG-9 ユビキタス検出器の開発 : 検出器への自律性導入の試み(標的・データ収集・計算機ソフト,実験核物理領域)
- 27aWH-3 超伝導転移端温度計(TES)を用いた低エネルギー粒子線検出器の開発(2)(検出器,実験核物理)
- 29pSA-5 超伝導転移端温度計 (TES) を用いた低エネルギー粒子線検出器の開発(学際・加速器・測定器, 実験核物理)
- 29pXN-9 超伝導トンネル接合を用いたX線検出器とX線レンズによる多価イオンX線分光(原子・分子)(領域1)
- 超伝導トンネル接合撮像型検出器が拓く次世代望遠鏡
- 30pXD-7 多重積層放物面型熱中性子収束光学素子の集光特性(30pXD X線・粒子線(中性子・粒子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 三次元LSI積層集積技術に求められる微細構造に対応した局所電気特性評価技術 (先端電子デバイスパッケージと高密度実装における評価・解析技術論文特集)
- 3a-J-3 中性子過剰核^B, ^Bの電気四重極モーメントの測定
- 4a-PS-6 入射核破砕反応の偏極現象を用いた^Fの磁気モーメントの測定
- 30p-N-12 ^B,^Bのg-factorの測定
- ジョセフソンBISTシステムの設計
- 10Gbit/s光送受信モジュールを搭載した光バックプレーンモデルの信号伝送性能評価(高密度・高性能パッケージ・モジュール技術,次世代電子機器における先端実装技術と電磁波ノイズ低減技術論文)
- 19aXB-9 中性子ビーム用デバイスのための曲面スーパーミラーの開発(X線・粒子線(中性子),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 20aSF-4 4重極磁石を用いた高偏極中性子ビームの生成と基礎物理への応用(20aSF 対称性・基礎物理・核モーメント,実験核物理領域)
- 30pXD-5 磁場勾配を用いた中性子スピン偏極デバイスの開発(30pXD X線・粒子線(中性子・粒子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 30aWD-2 原研3号炉での中性子ベータ崩壊実験(NBD)について : ベータ崩壊イベントの測定(30aWD 対称性・基礎物理,実験核物理領域)
- 27aWH-1 中性子β崩壊測定の予備実験(検出器,実験核物理)
- 5a-B5-10 X線検出用ニオブ系ジョセフソン素子の極低温特性
- 無電解めっき法による無加圧フリップチップ接続技術(高密度実装プロセス要素技術,先端電子デバイスパッケージと高密度実装プロセス技術の最新動向論文)
- 無電解めっき法による超微細電極接続法(チップ・パッケージ・ボードにおけるパワーインテグリティの設計評価,LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術、テスト技術、一般)
- C-3-44 VGPASモジュールの上部構造における光結合特性評価(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-41 細径高Δ光ファイバの小曲を用いた90゜光路変換多心光コネクタ(光コネクタ,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 高密度CWDM用モノリシック多波長VCSELの試作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 基板間/チップ間高速光信号伝送のための光結合効率およびDMDの基礎評価(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-3-44 数値解析による矩形型導波路のDMD評価(光伝搬・導波路解析(II),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- CS-4-3 LSIチップ接続用高速高密度配線インターポーザ(CS-4.光インターコネクション技術の最新動向,シンポジウム)
- 21p-D-3 中性子過剰核^Nの磁気モーメント、電気四重極モーメントの測定
- 29a-SF-7 不安定核の偏極を目的とした偏極キセノン固体の生成
- 29a-SF-6 ^Fの磁気モーメントの精密測定
- 29p-PSA-8 光ポンピング法を用いたキセノン核スピンの偏局II
- 30a-H-4 入射核破砕反応におけるスピン偏極現象を利用した^Nの磁気モーメント測定
- 23p-J-8 高波長分解能と位置検出を目指したX線マイクロカロリメータの開発
- 三次元LSI積層集積技術に求められる微細構造に対応した局所電気特性評価技術(先端電子デバイスパッケージと高密度実装における評価・解析技術論文)
- 2a-H-8 ^N、^Bの核磁気モーメントと中性子過剰軽核の構造
- 31a-N-2 入射核破砕反応におけるスピン偏極現象を利用した中性子過剰核^Bの磁気モーメント測定
- アンテナ結合アルミ超伝導トンネル接合素子(Al-STJ)を用いたCMB偏光検出器の開発
- ジョセフソンBISTシステムの設計
- 省エネ組込みヘテロジニアス・マルチチップ積層COOL Systemの開発
- 基板間/チップ間高速光信号伝送のための光結合効率およびDMDの基礎評価(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 基板間/チップ間高速光信号伝送のための光結合効率およびDMDの基礎評価(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 基板間/チップ間高速光信号伝送のための光結合効率およびDMDの基礎評価(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 6a-H-2 高密度・高偏極^3Heを用いた中性子スピン分析法の開発
- 光インタコネクトのための光素子のセルフアライメント技術と光サブアセンブリ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 超伝導集積回路チップ用多チャンネル高速テスト冶具
- 26a-K-10 中性子二次元検出器の開発
- 26pPSA-67 冷中性子ビーム制御
- 31a-XJ-5 磁場勾配を用いた冷中性子ビーム制御(III)
- 25a-K-3 磁場勾配を用いた冷中性子ビーム制御(II)
- Taトラップ層を用いたSTJ素子のX線検出特性(エレクトロニクス・一般)
- 30aWD-5 超伝導転移端温度計(TES)を用いた低エネルギー粒子線検出器の開発(3)(30aWD 対称性・基礎物理,実験核物理領域)
- ポリイミド薄膜の10GHz帯誘電特性の測定(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト技術)
- 超伝導トンネル接合素子を用いたテラヘルツ波検出器アレイの開発とイメージング応用
- 超伝導検出器アレイを用いたテラヘルツイメージング(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 超伝導検出器アレイを用いたテラヘルツイメージング
- 正規分布形状STJを用いたコイル集積型超伝導X線検出器の作製
- 6a-H-3 P, T非保存検証実験のための熱外中性子スピン制御法の研究
- 超伝導トンネル接合素子を用いたテラヘルツ波検出器アレイの開発とイメージング(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 多チャンネル検出器システムへ向けたアナログ-デジタル変換器の開発(ディジタル・一般)
- 多チャンネル検出器システムへ向けたアナログーデジタル変換器の開発
- 超伝導検出器による宇宙プラズマ観測
- 4p-D-6 不安定核偏極のための^Xe偏極固体の開発研究
- CS-7-9 ファイバー通信波長帯(1.5μm)における超伝導トンネル接合を用いた単一光子検出器(CS-7.単一光子検出技術-量子通信を目指して,シンポジウム)
- 全(103)配向YBaCuO/PrBaCuO/YBaCuO積層型異方性ジョセフソン接合
- 6a-H-6 半導体レーザーによる^Xe核偏極装置の開発
- 正規分布形状超伝導トンネル接合を用いたX線検出器(材料/一般)
- 基板吸収型STJを用いた広帯域フォトン検出器(デバイス・一般)
- 超伝導トンネル接合素子を用いた放射線検出器の開発 (特集 低温放射線検出器)
- X線検出器用マイクロストリップコイル付き超伝導トンネル接合の作製
- 超伝導トンネル接合素子を用いた放射線検出器の開発
- 21aSA-12 理研RIBFのEURICAを用いた中性子過剰なCs同位体(A
- 27pWG-9 自由曲面多層膜スーパーミラーによる中性子光学素子の開発I(27pWG X線・粒子線,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))