基板間/チップ間高速光信号伝送のための光結合効率およびDMDの基礎評価(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
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概要
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近年、電気信号伝送の高速化にともない、基板間や基板内での光信号伝送が検討されている。今回、筆者らは、光伝送特有の問題であり、コスト・伝送特性の両面に関わる項目して、モジュールにおける受発光素子と光ファイバ・光導波路部分の光結合特性、および光導波路そのものの伝送特性の解析に着目した。VGPASモジュールにおける上部構造と光源との結合効率は、中心に対して+/-20umの領域において80%程度(-1dB)であり、低損失での光結合を実現できていることを確認した。また、矩形型光導波路の伝送特性を評価する指標として、DMD(Differential Mode Delay)を取り上げ、高速伝送に対する帯域の評価を試みた。その結果、コア屈折率1.5、比屈折率差2.0%の導波路に0.85umの波長を入射した場合、コア辺が60um以上であれば、入射波形のスポットサイズを適切に選択すれば、DMDは1ps/m以下となり、10Gbps信号伝送に支障ないことが確認できた。
- 2007-08-16
著者
-
仲川 博
独立行政法人産業技術総合研究所
-
鈴木 修司
産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門
-
増田 宏
産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門
-
鈴木 敦
(独)産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門光・電子SI連携研究体
-
若園 芳嗣
(独)産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門光・電子SI連携研究体
-
鈴木 修司
(独)産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門光・電子SI連携研究体
-
増田 宏
(独)産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門光・電子SI連携研究体
-
菊地 克弥
(独)産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門光・電子SI連携研究体
-
仲川 博
(独)産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門光・電子SI連携研究体
-
青柳 昌宏
(独)産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門光・電子SI連携研究体
-
青柳 昌宏
独立行政法人 産業技術総合研究所
-
菊地 克弥
独立行政法人産業技術総合研究所
-
石川 隆朗
(独)産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門光・電子SI連携研究体
-
長尾 太介
(独)産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門光・電子SI連携研究体
-
樋野 智之
(独)産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門光・電子SI連携研究体
-
橋本 陽一
(独)産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門光・電子SI連携研究体
-
田村 充章
(独)産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門光・電子SI連携研究体
-
鈴木 貞一
(独)産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門光・電子SI連携研究体
-
三川 孝
(独)産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門光・電子SI連携研究体
-
長尾 太介
(独) 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門光・電子SI連携研究体
-
樋野 智之
(独) 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門光・電子SI連携研究体
-
田村 充章
(独) 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門光・電子SI連携研究体
-
鈴木 貞一
(独) 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門光・電子SI連携研究体
-
橋本 陽一
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
樋野 智之
NECネットワーキング研究所
-
三川 孝
産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門
-
鈴木 貞一
産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門
-
鈴木 敦
日本特殊陶業株式会社技術開発本部開発センター
-
青柳 昌弘
(独)産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門光・電子SI連携研究体
-
田村 充章
産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門
-
青柳 昌宏
東京理科大学大学院:独立行政法人産業技術総合研究所
-
青柳 昌宏
(独)産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
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