超伝導ゲート電極を用いたnMOSFETの極低温における特性
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概要
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超伝導、NbNゲート電極nMOSFETをp型Si(p-Si)、低不純物濃度Si(undoped Si)、n型Si(n-Si)基板を用いて作製した。4.2Kにおいては、基板にundoped Si、 n-Siを用いたnMOSFETは、基板にp-Siを用いた試料と同様に正常なトランジスタ特性を示した。今回作製した試料では4.2Kにおいて、nMOSFETの移動度が、p-Si基板を用いた試料より、大きかった。これはundoped Si、 n-Siを用いた試料ではチャネル内の不純物散乱確率が小さくなるためと考えられる。また、4.2KにおけるnMOSFETのしきい値電圧はp-Si、 undoped Si、 n-Si基板で有意な差は見られなかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-02-21
著者
-
仲川 博
独立行政法人産業技術総合研究所
-
仲川 博
電子技術総合研究所
-
青柳 昌宏
電子技術総合研究所
-
松本 智
慶應義塾大学理工学研究科
-
黒沢 格
電子技術総合研究所
-
前澤 正明
電子技術総合研究所
-
松本 智
慶應義塾大学
-
山本 圭一
慶應義塾大学理工学部
-
黒沢 格
日本女子大学理学部数物科学科
-
仲川 博
独立行政法人産業総合研究所
-
青柳 昌宏
東京理科大学大学院:独立行政法人産業技術総合研究所
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