高密度CWDM用モノリシック多波長VCSELの試作(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
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概要
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高密度光実装を目指し、左右で発振波長の異なるVCSELをGaAs基板上にモノリシックに作製した。発振波長はVCSELの位相調整層の厚さを変えて変化させた。左右ともシングルモードLP_<01>で発振し、発振波長は862nmと848nmであった。2つのVCSEL中心間の間隔は29μmでありマルチモード光ファイバへ光学系を用いずに同時に2波長を導入できる。そのため、超高速でフォームファクターの小さい低コストな光モジュールが実現可能になる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-08-16
著者
-
仲川 博
独立行政法人産業技術総合研究所
-
青柳 昌宏
独立行政法人産業技術総合研究所
-
増田 宏
産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門
-
菊地 克弥
産業技術総合研究所つくば中央第二事業所
-
仲川 博
産業技術総合研究所つくば中央第二事業所
-
青柳 昌宏
産業技術総合研究所つくば中央第二事業所
-
青柳 昌宏
独立行政法人 産業技術総合研究所
-
青柳 昌宏
独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
青柳 昌宏
産業技術総合研究所・研究グループ
-
菊地 克弥
独立行政法人産業技術総合研究所
-
鈴木 貞一
産業技術総合研究所光電子SI連携研究体
-
長尾 太介
産業技術総合研究所光電子SI連携研究体
-
若園 芳嗣
産業技術総合研究所光電子SI連携研究体
-
鈴木 敦
産業技術総合研究所光電子SI連携研究体
-
石川 隆朗
産業技術総合研究所光電子SI連携研究体
-
橋本 陽一
産業技術総合研究所光電子SI連携研究体
-
田村 充章
産業技術総合研究所光電子SI連携研究体
-
三川 孝
産業技術総合研究所光電子SI連携研究体
-
長尾 太介
(独) 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門光・電子SI連携研究体
-
田村 充章
(独) 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門光・電子SI連携研究体
-
鈴木 貞一
(独) 産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門光・電子SI連携研究体
-
橋本 陽一
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
三川 孝
産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門
-
鈴木 貞一
産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門
-
鈴木 敦
日本特殊陶業株式会社技術開発本部開発センター
-
青柳 昌弘
(独)産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門光・電子SI連携研究体
-
田村 充章
産業技術総合研 エレクトロニクス研究部門
-
青柳 昌宏
東京理科大学大学院:独立行政法人産業技術総合研究所
-
青柳 昌宏
産業技術総合研究所
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