高臨界電流密度Nb/AlOx/Nbトンネル接合
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概要
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高臨界電流密度(高J_c)Nb, AlOx/Nbトンネル接合を作製しその特性を評価した。J_cの増加とともにサブギャップ過剰電流の増加が観測された。これは高J_c領域ではトンネルバリアであるAl酸化膜が極めて薄く、Al表面を完全に被覆していないためと考えられる。ラッチング論理ゲートに用いるためには、臨界電流密度は10kA/cm^2まで増加できることがわかった。また、これらの高J_c接合でジョセフソンセルフカップリングによる奇数次のサブハーモニックギャップ構造が観測された。このことは、高J_c接合においてはペアー準粒子相互作用が重要であることを示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-07-20
著者
-
仲川 博
独立行政法人産業技術総合研究所
-
仲川 博
電子技術総合研究所
-
青柳 昌宏
電子技術総合研究所
-
高田 進
埼玉大学大学院理工学研究科
-
黒沢 格
電子技術総合研究所
-
高田 進
電子技術総合研究所
-
前澤 正明
電子技術総合研究所
-
黒沢 格
日本女子大学理学部数物科学科
-
仲川 博
独立行政法人産業総合研究所
-
青柳 昌宏
東京理科大学大学院:独立行政法人産業技術総合研究所
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