超伝導NbNゲートMOSFETの作製と低温におけるその電気特性
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概要
著者
-
仲川 博
独立行政法人産業技術総合研究所
-
仲川 博
電子技術総合研究所
-
青柳 昌宏
電子技術総合研究所
-
松本 智
慶應義塾大学理工学研究科
-
前澤 正明
電子技術総合研究所
-
松本 智
慶應義塾大学
-
黒沢 格
日本女子大理
-
山本 圭一
慶應義塾大学理工学部
-
黒沢 格
日本女子大学理学部数物科学科
-
黒沢 格
日本女子大
-
鈴木 啓恭
慶應義塾大学理工学部
-
仲川 博
独立行政法人産業総合研究所
-
青柳 昌宏
東京理科大学大学院:独立行政法人産業技術総合研究所
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