GS-MBEの選択成長を用いたc-Si/SiO_2低次元構造の作製
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概要
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本研究では, 選択成長という優れた特徴をもつSi-GSMBE法, 電子線リソグラフィー法, および等方的ウエットエッチングを組み合わせた非常にシンプルなプロセスでc-Si/SiO_2低次元構造(0次, 1次元系)を作製する方法を提案する.本手法は, その密度がリソグラフィーの分解能や酸化膜厚に制約を受けるものの, 均一性の良い, 大きさのそろったSi量子ドット, Si量子細線構造が作製できる.本稿では, その結晶構造, 均一性, 結晶成長の機構をAFM, FE-SEM, およびHR-TEMで評価した.また, 大きさ, 密度, 周期が制御されたc-Si・SiO_2結晶構造の光学的特性をカソードルミネッセンス(CL)法を用いて評価した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-02-21
著者
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