Si(100)基板上へのc-GaNの成長 : エピタキシャル成長II
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概要
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The growth of C-GaN on Si substrates has been carried out by using BP buffer layer. We have successfully grown C-GaN epitaxial layer on Si(100) substrates with 10×10mm^2 area. The growth of C-GaN on Si will be discussed.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2000-07-01
著者
-
寺嶋 一高
湘南工科大学
-
寺嶋 一高
湘南工科大学マテリアル工学科
-
西村 鈴香
湘南工科大学マテリアル工学科
-
松本 智
慶應義塾大学理工学研究科
-
西村 鈴香
慶應義塾大学・理工
-
寺嶋 一高
湘南工大・工
-
松本 智
慶應義塾大学
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