BP単結晶のエピタキシャル成長
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概要
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BP films were grown on silicon(100)by thermal decomposition of a BCl_3-PCl_3 mixture in a hydrogen atmosphere. The layer grown on silicon(100)surfaces was found to be a single crystal boron mono phosphide with zinc blende structure by measuring X ray diffraction. This paper describes the growth conditions and the evaluation of BP films obtained.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1997-07-01
著者
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