25pB06 Si基板上c-GaN成長のためのBP緩衝層の成長及び評価(半導体エピ(2),第34回結晶成長国内会議)
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概要
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Boron monophosphide (BP) films were grown on silicon (100) by MOCVD. The layer grown on silicon (100) surfaces was found to be a single crystal BP with cubic structure by measuring X-ray diffraction. This paper describes the growth conditions and the evaluation of BP films obtained.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
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