Si基板上BPのエピタキシャル成長 : 気相成長II
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
BP epitaxial layer on Si(100) has been successfully grown by using BCl_3 and PCl_3 as source materials. The layer obtained is markedly flat and continuous. The growth technique and characterization will be discussed in terms of PL, SEM and TEM observations.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1998-07-01
著者
関連論文
- Density and Surface Tension of Excimer Grade Molten Calcium Fluoride (特集:材料物性から見たフッ化物・酸化物単結晶の育成技術)
- 21世紀の結晶成長の3大過大(21世紀の結晶成長の3大課題)
- Li_2B_4O_7(LBO)単結晶の光散乱体と結晶成長技術 -光工学応用への展開に向けて-
- 17aA05 固相成長法によるβ-FeSi_2バルク結晶の育成(半導体バルク,第35回結晶成長国内会議)
- 17pB08 Si(100)基板上へのBP(100)エピタキシャル成長と評価(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
- 17pB09 MBE法を用いたc-GaNの結晶成長(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
- 18aB04 散乱フリー四ほう酸リチウム単結晶(Li_2B_4O_7:LBO)の育成(機能性結晶(1),第35回結晶成長国内会議)
- 25pB06 Si基板上c-GaN成長のためのBP緩衝層の成長及び評価(半導体エピ(2),第34回結晶成長国内会議)
- シリコン融液中における酸素の拡散係数測定(半導体結晶成長II)
- 窒素添加シリコン融液の表面張力 : バルク結晶成長III
- NdドープLBO結晶の作製 : バルク成長II
- バルク結晶成長(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- 円環法によるシリコン融液の表面張力測定と表面張力温度依存性を考慮した坩堝内融液流れ
- シリコン単結晶の酸素濃度均一性と融液の蒸発
- シリコン単結晶中の酸素濃度制御技術の開発
- CZ-Si結晶中酸素濃度均一性と融液自由表面からのSiO蒸発(バルク成長分科会特集 : 結晶成長時における気液界面の物質移動と結晶に与える影響)
- 「結晶成長時における気液界面の物質移動と結晶に与える影響」小特集にあたって
- Si(100)基板上へのc-GaNの成長 : エピタキシャル成長II
- シリコン融液の流れの変化 : ボロン添加の効果 : バルク成長I
- シリコン融液の密度 : バルク成長I
- 「シリコン結晶成長における酸素輸送と欠陥制御」小特集にあたって(シリコン結晶成長における酸素輸送と欠陥制御)
- 3.9.1.6 固波共存融液状態での流動現象の研究(3.9.1 関係機関との共同研究,3.9 共同研究,3. 研究業務)
- 3.9.1.15 地球マントル物質の流動解析要素技術の開発研究(3.9.1 関係機関との共同研究,3.9 共同研究,3. 研究業務)
- 3.8.1.11 地球マントル物質の流動解析要素技術の開発研究(3.8.1 関係機関との共同研究,3.8 共同研究,3. 研究業務)
- 3.1.7 火山噴火予知に関する研究(火山対策特別研究,3.1 特別研究,3. 研究業務)
- シリコン及びボロン添加シリコン融液の表面張力とその温度依存性 : 融液物性I
- 温度測定による坤塙内シリコン融液流れの推定 : 融液密度異常が流れに及ぼす影響( バルク結晶成長の新しいアプローチ)
- シリコン融液の基本特性
- ゲルマニウム融液の熱拡散率
- 密度異常を考慮したCZ-Si融液の対流構造解析 : 液体物性
- 国内情報 シリコン融液の基本物性と結晶内酸素濃度分布--均質結晶成長技術を目指して
- 新しい観点によるSi結晶成長 : メルトの不思議 : 招待講演
- シリコン融液表面脹力の変動測定 : 融液成長(シリコン関連) I
- KTP-K6フラックス溶液系の粘性測定 : 溶液成長II
- Si融液中の酸素輸送現象 : バルク成長シンポジウムII
- Czシリコン単結晶育成炉内における石英と黒鉛の反応 : 融液物性I
- シリコン融液中の石英ガラス溶解速度 : 初期溶解速度 : 融液物性I
- 半導体融液の物性測定
- シリコン融液中の石英ガラス溶解速度 : ボロン添加の効果
- ボロン添加シリコン融液の蒸発量
- 「結晶の完全性を目指して」小特集にあたって
- 22aB10 Si(100)面上BPエピタキシャル膜の成長(気相成長II)
- 22aA5 ボロン添加シリコン融液の特性(バルク成長I)
- Si基板上BPのエピタキシャル成長 : 気相成長II
- IV族半導体の輻射率, 熱拡散率の測定 : バルク成長シンポジウムI
- 22pA1 結晶成長と熱物性(バルク成長シンポジウム)
- (5) シリコン融液中の酸素の挙動 : 石英の溶解とシリコン融液からの蒸発(主題 : 素材・材料プロセスに係わる物性と評価)(素材工学研究所第 6 回研究懇談会)(素材工学研究会記事)
- バルク成長分科会特集にあたって(バルク成長分科会特集 : シリコン結晶の最近の話題から)
- BP単結晶のエピタキシャル成長
- 小特集「格子不整合系のヘテロエピタキシー」によせて(格子不整合系のヘテロエピタキシー)
- sb添加si単結晶中の酸素濃度に及ぼす雰囲気圧力の効果 : 融液成長(シリコン関連) II
- 自由表面からの酸素の蒸発を考慮したSi融液中酸素輸送解析 : 融液成長(シリコン関連) II
- シリコン融液からの酸素蒸発速度の雰囲気依存性 : 融液成長(シリコン関連) II
- 28aA5 シリコン融液の密度変動(融液成長I)
- 28aA3 ゲルマニウム融液の基本特性(融液成長I)
- エキシマーグレードのフッ化カルシウム融液の密度と表面張力(材料物性から見たフッ化物・酸化物単結晶の育成技術)
- DLCz-Si融液急冷凝固法による酸素移動過程の直接観察 : 液体物性
- 温度測定による坩堝内シリコン融液の流れ解析 : バルク成長シンポジウムII
- 融液の熱履歴がゲルマニウム単結晶の品質に与える影響 : 融液成長(シリコン関連) II
- Ge融液の熱物性 : 融液成長I
- MgO添加LiNbO_3融液の特性 : 融液成長I
- KTP単結晶の酸素雰囲気下での熱処理効果 : 評価I
- エキシマーグレードのフッ化カルシウム融液の密度と表面張力
- Li2B4O7(LBO)単結晶の光散乱体と結晶成長技術--光学応用への展開に向けて