シリコン単結晶中の酸素濃度制御技術の開発
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概要
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A new control technique of oxygen concentration in p-type CZ silicon crystal was developed from investigation of fundamental oxygen behavior (oxygen solubility and quartz dissolution rate) in boron-doped silicon melts. In the case of quartz pretreated in silicon melt at 1550℃, the initial dissolution rate in silicon melt was approximately one-third compared with that of raw fused amorphous quartz or quartz pretreated in silicon melt at 1500℃. Therefore, silicon crystal was produced by using quartz crucible pretreated in silicon melt at 1550℃. Oxygen concentrations of these crystals were lower than that of crystal by using conventional quartz crucible.
- 湘南工科大学の論文
- 2001-03-18
著者
-
寺嶋 一高
湘南工科大学
-
寺嶋 一高
湘南工科大学マテリアル工学科
-
前田 進
コマツ電子金属
-
安部 啓成
シリコンユナイテッドマニュファクチャリング
-
中西 秀夫
東芝セラミックス
-
松元 健
日本電波株式会社
-
安部 啓成
シリコンユナイテッドマニュファクチャリング:(湘南工科大学シリコン融液プロジェクト)
-
前田 進
コマツ電子金属:(湘南工科大学シリコン融液プロジェクト)
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