シリコン融液の基本特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Basic pmperties of molten silicon are examined experimentally. The temperature dependence of the density was determined in the range from solidification point of about 1,415℃ to 1,650℃ using an improved Archimedian method. An anomalous value in the thermal volume expansion coefficient of about 8×10^<-4>℃^<-1> was observed just above the solidification point. The time dependence of the density has also been recognized. The detailed temperature dependence of the surface tension of molten silicon was measured using an accurate ring method. The surface tension data showed an approximately linear temperature dependence from 1,430℃ to 1,650℃. The temperature coefficient of the surface tesion becomes positive at about 1,425℃ and returns to a negative value just above the solidification point. The viscosity of molten silicon was measured in the temperature range from the solidification point to about 1,600℃ using an oscillating cup made of SiC. The activation energy estimated from the data was 0.20eV. An anoomalous increase in viscosity with decreasing temperature was observed for temperatures lower than about 1,430℃. The temperature dependence of the electrical resistivity of molten silicon was measured based on the dirct-current four-probe method in the range from the solidification point to 1,630℃. The temperature coefficient of the resistivity varied slowly with temperature, being negative near the solidification point and positive above 1,500℃. The resistivity of molten silicon was calculated based on Ziman's formula. The temperature dependence of the measured resistivity was not reproduced when the structure factor S (Q) calculated by a simple hard-sphere model was substituted into Ziman's formula, but was reproduced by using the experimental data of S(Q) measured by Waseda which shows the first peak of asymmetric shape. These results indicate that the anomalous behavior of different properties occurs similtaneously, reflecting a kind of essential variation in the melt. The specific melt structure of molten silicon may have a significant effect on the anomaly in the temperature range near the solidncation point.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1995-09-25
著者
-
寺嶋 一高
新技術事業団木村融液動態プロジェクト
-
木村 茂行
(社)未踏科学技術協会
-
寺嶋 一高
湘南工科大学
-
寺嶋 一高
湘南工科大学マテリアル工学科
-
寺嶋 一高
新技術事業団
-
木村 茂行
新技術事業団
-
佐々木 斉
新技術事業団木村融液動態プロジェクト
-
木村 茂行
(現)(社)未踏科学技術協会:科学技術庁無機材質研究所
関連論文
- Density and Surface Tension of Excimer Grade Molten Calcium Fluoride (特集:材料物性から見たフッ化物・酸化物単結晶の育成技術)
- ZnSe単結晶内の点欠陥 : 評価I
- 時代は結晶成長学会の変革を求めている
- 融液ミステリーの追跡 : 新技術事業団創造科学事業「融液動態プロジェクト」結果報告
- 二重るつぼ引上法の原料供給自動化と応用 : 酸化物融液成長II
- 21世紀の結晶成長の3大過大(21世紀の結晶成長の3大課題)
- Li_2B_4O_7(LBO)単結晶の光散乱体と結晶成長技術 -光工学応用への展開に向けて-
- 17aA05 固相成長法によるβ-FeSi_2バルク結晶の育成(半導体バルク,第35回結晶成長国内会議)
- 17pB08 Si(100)基板上へのBP(100)エピタキシャル成長と評価(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
- 17pB09 MBE法を用いたc-GaNの結晶成長(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
- 18aB04 散乱フリー四ほう酸リチウム単結晶(Li_2B_4O_7:LBO)の育成(機能性結晶(1),第35回結晶成長国内会議)
- 25pB06 Si基板上c-GaN成長のためのBP緩衝層の成長及び評価(半導体エピ(2),第34回結晶成長国内会議)
- シリコン融液中における酸素の拡散係数測定(半導体結晶成長II)
- 窒素添加シリコン融液の表面張力 : バルク結晶成長III
- NdドープLBO結晶の作製 : バルク成長II
- バルク結晶成長(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- 円環法によるシリコン融液の表面張力測定と表面張力温度依存性を考慮した坩堝内融液流れ
- シリコン単結晶の酸素濃度均一性と融液の蒸発
- シリコン単結晶中の酸素濃度制御技術の開発
- CZ-Si結晶中酸素濃度均一性と融液自由表面からのSiO蒸発(バルク成長分科会特集 : 結晶成長時における気液界面の物質移動と結晶に与える影響)
- 「結晶成長時における気液界面の物質移動と結晶に与える影響」小特集にあたって
- Si(100)基板上へのc-GaNの成長 : エピタキシャル成長II
- シリコン融液の流れの変化 : ボロン添加の効果 : バルク成長I
- シリコン融液の密度 : バルク成長I
- 「シリコン結晶成長における酸素輸送と欠陥制御」小特集にあたって(シリコン結晶成長における酸素輸送と欠陥制御)
- 3.1.7 火山噴火予知に関する研究(火山対策特別研究,3.1 特別研究,3. 研究業務)
- ZnSe バルク単結晶の固相成長
- ZnSe単結晶固相の固相成長 : その場観察 : 基礎V
- 3.9.1.6 固波共存融液状態での流動現象の研究(3.9.1 関係機関との共同研究,3.9 共同研究,3. 研究業務)
- 3.9.1.15 地球マントル物質の流動解析要素技術の開発研究(3.9.1 関係機関との共同研究,3.9 共同研究,3. 研究業務)
- 3.8.1.11 地球マントル物質の流動解析要素技術の開発研究(3.8.1 関係機関との共同研究,3.8 共同研究,3. 研究業務)
- Bi_2O_3-GcO_2系の融液特性の測定 : 融液成長II
- 粘性からみたLiNbO_3融液の特性(バルク成長(II))
- 3.1.7 火山噴火予知に関する研究(火山対策特別研究,3.1 特別研究,3. 研究業務)
- セラミックスインテグレーションとは? (特集 セラミックスインテグレーション)
- YIG単結晶育成における自己組成調整反応 : バルク結晶成長IV
- シリコン及びボロン添加シリコン融液の表面張力とその温度依存性 : 融液物性I
- 第10回結晶成長国際会議 (ICCG-10) 報告
- 結晶工学
- 科学技術創造立国とセラミックス
- 新しい時代の胎動と科学技術の役割
- 不確実な時代を生きる
- ナノテクノロジーへの結晶成長学の貢献(歴代会長挨拶,第1章 挨拶,日本結晶成長学会創立30周年記念)
- NCCG-33でのシンポジウム「日本結晶成長学会の将来を考える」(シンポジウム報告)
- 原点を考える
- 将来を考えることの難しさ
- ミーティング報告 日本結晶成長学会の将来を考える会
- NCCGとICCG(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- バルク結晶成長とナノテクノロジー
- シリコン融液の物性測定--融点近傍の現象をめぐって
- 温度測定による坤塙内シリコン融液流れの推定 : 融液密度異常が流れに及ぼす影響( バルク結晶成長の新しいアプローチ)
- シリコン融液の基本特性
- ゲルマニウム融液の熱拡散率
- 密度異常を考慮したCZ-Si融液の対流構造解析 : 液体物性
- 国内情報 シリコン融液の基本物性と結晶内酸素濃度分布--均質結晶成長技術を目指して
- 技術と意識改革
- BaB_2O_4の融液固化過程に出現する固相の挙動 : 融液成長II
- 新しい観点によるSi結晶成長 : メルトの不思議 : 招待講演
- シリコン融液表面脹力の変動測定 : 融液成長(シリコン関連) I
- 28aA8 シリコン融液中のSbと酸素の蒸発(融液成長II)
- 28aA1 Li_2B_4O_7融液の光学測定(融液成長I)
- KTP-K6フラックス溶液系の粘性測定 : 溶液成長II
- 27p-ZG-6 融液中での原子集団の挙動
- BBO融体のX線構造解析(バルク結晶の成長(I))
- Si融液中の酸素輸送現象 : バルク成長シンポジウムII
- Dynamic Estimation of Surface Tension of Si by a Hanging Drop
- Czシリコン単結晶育成炉内における石英と黒鉛の反応 : 融液物性I
- シリコン融液中の石英ガラス溶解速度 : 初期溶解速度 : 融液物性I
- 半導体融液の物性測定
- シリコン融液中の石英ガラス溶解速度 : ボロン添加の効果
- ボロン添加シリコン融液の蒸発量
- 「結晶の完全性を目指して」小特集にあたって
- 22aB10 Si(100)面上BPエピタキシャル膜の成長(気相成長II)
- 22aA5 ボロン添加シリコン融液の特性(バルク成長I)
- Si基板上BPのエピタキシャル成長 : 気相成長II
- IV族半導体の輻射率, 熱拡散率の測定 : バルク成長シンポジウムI
- 22pA1 結晶成長と熱物性(バルク成長シンポジウム)
- (5) シリコン融液中の酸素の挙動 : 石英の溶解とシリコン融液からの蒸発(主題 : 素材・材料プロセスに係わる物性と評価)(素材工学研究所第 6 回研究懇談会)(素材工学研究会記事)
- バルク成長分科会特集にあたって(バルク成長分科会特集 : シリコン結晶の最近の話題から)
- BP単結晶のエピタキシャル成長
- 小特集「格子不整合系のヘテロエピタキシー」によせて(格子不整合系のヘテロエピタキシー)
- sb添加si単結晶中の酸素濃度に及ぼす雰囲気圧力の効果 : 融液成長(シリコン関連) II
- 自由表面からの酸素の蒸発を考慮したSi融液中酸素輸送解析 : 融液成長(シリコン関連) II
- シリコン融液からの酸素蒸発速度の雰囲気依存性 : 融液成長(シリコン関連) II
- 28aA5 シリコン融液の密度変動(融液成長I)
- 27pA5 Si融液中の酸素溶解度 : Sb添加の影響(バルク結晶成長シンポジウムIII)(バルク結晶成長シンポジウム : バルク単結晶の新しい融液成長技術)
- 28aA3 ゲルマニウム融液の基本特性(融液成長I)
- エキシマーグレードのフッ化カルシウム融液の密度と表面張力(材料物性から見たフッ化物・酸化物単結晶の育成技術)
- DLCz-Si融液急冷凝固法による酸素移動過程の直接観察 : 液体物性
- シリコン融体の超音波測定 : 液体物性
- 温度測定による坩堝内シリコン融液の流れ解析 : バルク成長シンポジウムII
- 創立20周年記念講演会国際シンポジウム「明日の結晶成長」(日本給晶成長学会創立20周年記念特集)
- 融液の熱履歴がゲルマニウム単結晶の品質に与える影響 : 融液成長(シリコン関連) II
- Ge融液の熱物性 : 融液成長I
- MgO添加LiNbO_3融液の特性 : 融液成長I
- KTP単結晶の酸素雰囲気下での熱処理効果 : 評価I
- グリーンテクノロジー政策と学術の寄与
- エキシマーグレードのフッ化カルシウム融液の密度と表面張力
- 蒋民華教授のご逝去を悼む