22aB10 Si(100)面上BPエピタキシャル膜の成長(気相成長II)
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概要
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The growth of BP on Si substrates has been carried out. We have successfully grown BP epitaxial layer on Si (100) substrates with 10×10mm^2 area with adding thin low temperature growth layer. The growth of BP on Si will be discussed.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1999-07-01
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