Fraction of Interstitialcy Component of Phosphorus Diffusion in Silicon in Intrinsic State
スポンサーリンク
概要
著者
-
田中 秀司
福岡工業大学
-
松本 智
慶應義塾大学理工学研究科
-
松本 智
慶応大学
-
師岡 正美
福岡工業大学工学部電気工学科
-
田中 秀司
福岡工業大学電子材料工学科
-
吉田 正幸
Yoshida Semiconductor Laboratory
-
師岡 正美
福岡工大工
-
師岡 正美
福岡工業大学電気工学科
-
師岡 正美
福岡工業大学
関連論文
- C-10-15 ニッケルをドープしたシリコンの深い不純物の統計(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 17pB08 Si(100)基板上へのBP(100)エピタキシャル成長と評価(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
- Si(100)基板上へのc-GaNの成長 : エピタキシャル成長II
- 30a-T-4 Ge中のCuの導入及び回復(II)
- 30a-T-3 Kick-Out拡散の基本方程式の数値解
- 2p-NJ-13 Kick-out Mechanismによる拡散における基本仮定の判定条件
- 1a-G-12 Ge中のCuの導入及び回復
- 個体拡散材 - BNウエハーを用いたシリコンへのホウ素拡散における窒素ガス流中の酸素の影響
- 福岡工業大学電気工学科の創成型・動機付教育を目的とした電気工学概論
- 福岡工業大学電気工学科の創成型・動機付教育を目的とした電気工学概論
- 電気基礎学実験の改革の試み(2)
- 福岡工業大学電子情報工学科におけるLEGOロボット制御演習
- 極微粒ダイヤモンド砥粒を用いた多層電着工具の開発
- 3p-M-14 シリコン結晶中に析出した金微粒子のHRTEM観察
- 高純度単一同位体Siのエピタキシャル成長と自己拡散への応用
- シリコン中過飽和金原子の回復熱処理時濃度分布
- C-11-3 n形シリコン中鉄関連欠陥形成の再現性(C-11.シリコン材料・デバイス,一般講演)
- C-11-1 n形シリコン中鉄関連欠陥の正孔注入による増速拡散(C-11.シリコン材料・デバイス,エレクトロニクス2)
- n形シリコン中鉄関連欠陥の拡散と電気的性質(半導体材料・デバイス)
- 無転位シリコンの化学エッチング
- シリコンp+/nエピタキシャルダイオードへの正孔注入にするn形シリコン中鉄関連欠陥の再結合増速解離
- 無転位シリコンバルク中ニッケルの析出と空格子点の生成消滅源
- FZおよびCZ成長n形シリコンにおける鉄関連欠陥の導入特性
- n形シリコン中鉄関連ドナー準位のPoole-Frenkel効果
- n形シリコン中鉄関連欠陥の導入と回復
- 等温アニールによるn型シリコン中鉄欠陥準位の挙動
- 28aXT-6 シリコン中のリン拡散におけるplateau,rapid fallおよびtailの形成機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 24pY-6 空孔および格子間原子機構対拡散モデルに基づくSi中のPの実効拡散係数および律速過程
- 29a-ZA-5 Si中のP拡散への酸化および窒化効果の解析
- シリコン中の金の連続回復
- GS-MBEの選択成長を用いたc-Si/SiO_2低次元構造の作製
- GS-MBEの選択成長を用いたc-Si/SiO_2低次元構造の作製
- ガラスを通過する熱エネルギーの測定
- Mechanism of Formation of Plateau, Rapid Fall and Tail in Phosphorus Diffusion Profile in Silicon Based on Pair Diffusion Models of Vacancy and Interstitial Mechanisms
- Changes of DLTS Spectrum with Gold Concentration and Gold-Diffusion Temperature in N-Type Silicon
- Annealing of Supersaturated Low-Temperature Substitutional Gold in Silicon
- A Simple Method to Determine λ from Isothermal Capacitance Measurements
- Three States of Substitutional Gold in Silicon
- "極限"に向かうレ-ザ技術
- 27p-H-5 燐ドープシリコンのESRシグナルの温度依存性
- Fraction of Interstitialcy Component of Phosphorus Diffusion in Silicon in Intrinsic State
- 12p-Q-2 シリコンへの燐拡散における表面効果
- 超伝導NbNゲートMOSFETの作製と低温におけるその電気特性
- 超伝導ゲート電極を用いたnMOSFETの極低温における特性
- 14a-L-2 シリコン中の金の回復
- 27a-N-6 シリコン中積層欠陥の金拡散による成長・肥大と収縮・消滅
- 2p-Z-11 Si中の酸化増速(減速)拡散および酸化積層欠陥に関する1時間3方程式解法
- 2p-F-6 Si中の酸化増速(減速)拡散および積層欠陥の解析
- 固体中の多数の電子のランダム運動平均自由時間に対する2種類の定義
- Si中のP拡散への空孔機構および準格子間機構対拡散モデルの適用
- 3p-M-13 Si中のP, As拡散への準格子間機構対拡散モデル適用に関する提案
- シリコン結晶中のリン拡散におけるリン-空孔対拡散モデル
- 27a-N-8 対拡散モデルに基づくSi中のP異常拡散
- シリコン結晶の不純物拡散機構
- シリコンにおけるV族不純物拡散
- エキシマレーザアニール(ELA)によるSiトランジスタの高性能化
- Diffusion Equation of Phosphorus in Silicon Based on the Pair Diffusion Models of Vacancy and Interstitial Mechanisms
- 極微粒ダイヤモンド砥粒を用いた高速電鋳工具製造法の開発
- Uncorrelated Silicon Self-Diffusion Coefficient via Vacancy Mechanism Obtained by Dissociative Diffusion of nickel
- Study of Numerical Solution of Phosphorus Diffusion Equation in Silicon Based on the Diffuion Equation
- 29a-P-7 シリコン中の不純物拡散 : 特にV族不純物の対拡散モデルについて
- 12p-DK-3 対拡散モデルおよび通常拡散モデルに基づくSi中のAs拡散
- 27p-H-6 Siにおける空孔形成エネルギーのP濃度増加による減少
- 29p-K-6 対拡散モデルの基礎条件
- Comment on"Dependence of Gettering Efficiency on Metal Impurities"
- 拡がり抵抗自動測定装置によるpn接合測定
- 5p-A3-4 格子間原子と空孔の拡散方程式におけるフレンケル欠陥生成消滅項の効果
- Si中のVacancyおよびSelf-Interstitialの酸化雰囲気における挙動-1-
- 27p-K-1 シリコン中の高温置換金の拡散と点欠陥
- ホ-ル起電力への電流電極短絡効果の等角写像法による計算
- 14a-L-1 シリコン中のリン拡散
- 30p-SG-13 シリコン中の金の導入と回復
- エキシマレ-ザMOCVDによるa-Si:H/a-AlO超格子の作製とその特性 (量子化機能材料)
- イオン注入シリコンの高温短時間熱アニーリング
- シリコンへの燐拡散における過剰空格子点の発生(研究ノ-ト)
- 30a-T-2 解離機構によるシリコン中の拡散金分布の計算
- 3a-P-2 固体での化学反応における成分
- 31a GH-6 シリコン中の砒素拡散における砒素空格子点複合体による空格子点吸収
- 4a-AE-3 シリコン中のリン拡散方程式の数値解V
- 31p-BB-10 シリコン中のリン拡散方程式の数値解 IV
- 9p-P-1 シリコン中のリン拡散方程式の数値解III
- 5a-M-8 シリコン中のリン拡散方程式の数値解 II
- 6a-Q-10 シリコン中のリン拡散方程式の数値解
- 7a-M-5 不純物空格子点対の化学ポテンシャル
- 10a-N-10 シリコン中リンの異常拡散
- C-11-3 n形無転位シリコン中ニッケルアクセプター中心の拡散分布(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
- 高純度同位体を用いた半導体中の自己拡散現象の解明
- Javaによる非線形拡散方程式(解離機構・kick-out機構)の数値解
- 27aRB-5 Si中過飽和高温置換Au回復過程で発生するAu集合体中のAu原子数分布(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 点欠陥が関与する位置交換型不純物拡散の数値解法とSi中Au拡散に対する計算例
- 28pXD-4 Si中過飽和高温置換Au回復過程でのAu集合体のSIMS観測(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 31pYG-9 Si 中低温置換金回復に関与する欠陥
- 800℃と900℃でのシリコン中金拡散の本質的相違と900℃拡散での点欠陥の寄与
- 17pTG-6 850℃上下温熱処理によるシリコン中金濃度分布の本質的相違
- 24pY-7 シリコン中過飽和置換金原子の外方拡散プロフィル
- 25p-T-2 均一核形成を伴うSi中置換金原子リング機構拡散における濃度分布
- 30a-YK-5 斜め研磨面上容量測定による半導体中不純物欠陥濃度分布の簡便測定
- 3p-M-8 欠陥が関与するSi中金拡散における律速過程
- 点欠陥が関与するSi中Au拡散数値解における各定数と境界および初期条件