800℃と900℃でのシリコン中金拡散の本質的相違と900℃拡散での点欠陥の寄与

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• 福岡工業大学エレクトロニクス研究所の論文

著者

• 師岡 正美

  福岡工大工

• 師岡 正美

  福岡工業大学電気工学科

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