17pTG-6 850℃上下温熱処理によるシリコン中金濃度分布の本質的相違

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2001-09-03

著者

• 師岡 正美

  福岡工大

• 師岡 正美

  福岡工大工

• 師岡 正美

  福岡工業大学電気工学科

関連論文

• 福岡工業大学電気工学科の創成型・動機付教育を目的とした電気工学概論
• 福岡工業大学電気工学科の創成型・動機付教育を目的とした電気工学概論
• 電気基礎学実験の改革の試み(2)
• 3p-M-14 シリコン結晶中に析出した金微粒子のHRTEM観察
• シリコン中過飽和金原子の回復熱処理時濃度分布
• 2p-F-7 シリコン中の金拡散と積層欠陥
• 28aXT-6 シリコン中のリン拡散におけるplateau,rapid fallおよびtailの形成機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 24pY-6 空孔および格子間原子機構対拡散モデルに基づくSi中のPの実効拡散係数および律速過程
• 29a-ZA-5 Si中のP拡散への酸化および窒化効果の解析
• 24a-T-1 シリコン中金拡散によって発生した積層欠陥の金拡散に及ぼす影響
• シリコン中の金の連続回復
• 5p-A3-8 Si中の電気的活性Auと点欠陥
• ガラスを通過する熱エネルギーの測定
• Mechanism of Formation of Plateau, Rapid Fall and Tail in Phosphorus Diffusion Profile in Silicon Based on Pair Diffusion Models of Vacancy and Interstitial Mechanisms
• Changes of DLTS Spectrum with Gold Concentration and Gold-Diffusion Temperature in N-Type Silicon
• Annealing of Supersaturated Low-Temperature Substitutional Gold in Silicon
• A Simple Method to Determine λ from Isothermal Capacitance Measurements
• Three States of Substitutional Gold in Silicon
• Effect of Annealing Method upon Annealing Characteristics of Supersaturated Substitutional Gold in Silicon
• 27p-H-5 燐ドープシリコンのESRシグナルの温度依存性
• 電気基礎学実験の改革の試み
• Fraction of Interstitialcy Component of Phosphorus Diffusion in Silicon in Intrinsic State
• 14a-L-2 シリコン中の金の回復
• 直流バイアス印加整流法による微小の交流電圧の整流
• 電子なだれ形定電圧ダイオ-ドの電圧-電流特性
• シリコン中積層欠陥の金導入による発生・成長と金回復による縮小・消滅のメカニズム
• 27a-N-6 シリコン中積層欠陥の金拡散による成長・肥大と収縮・消滅
• Diffusion Equation of Phosphorus in Silicon Based on the Pair Diffusion Models of Vacancy and Interstitial Mechanisms
• 2a-KL-4 シリコン中の金の回復(II)
• Reverse Recovery Time of Junction Diodes with High Capture Rate of Minority Carriers in the Low Injection Level
• Study of Numerical Solution of Phosphorus Diffusion Equation in Silicon Based on the Diffuion Equation
• Comment on"Dependence of Gettering Efficiency on Metal Impurities"
• 拡がり抵抗自動測定装置によるpn接合測定
• 27p-K-1 シリコン中の高温置換金の拡散と点欠陥
• 30p-SG-13 シリコン中の金の導入と回復
• 30a-T-2 解離機構によるシリコン中の拡散金分布の計算
• Javaによる非線形拡散方程式(解離機構・kick-out機構)の数値解
• 27aRB-5 Si中過飽和高温置換Au回復過程で発生するAu集合体中のAu原子数分布(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 点欠陥が関与する位置交換型不純物拡散の数値解法とSi中Au拡散に対する計算例
• 28pXD-4 Si中過飽和高温置換Au回復過程でのAu集合体のSIMS観測(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 31pYG-9 Si 中低温置換金回復に関与する欠陥
• 800℃と900℃でのシリコン中金拡散の本質的相違と900℃拡散での点欠陥の寄与
• 17pTG-6 850℃上下温熱処理によるシリコン中金濃度分布の本質的相違
• 24pY-7 シリコン中過飽和置換金原子の外方拡散プロフィル
• 25p-T-2 均一核形成を伴うSi中置換金原子リング機構拡散における濃度分布
• 30a-YK-5 斜め研磨面上容量測定による半導体中不純物欠陥濃度分布の簡便測定
• 3p-M-8 欠陥が関与するSi中金拡散における律速過程
• 点欠陥が関与するSi中Au拡散数値解における各定数と境界および初期条件
• Improvement in Sensitivity for Brief Measurement of Diffusion Profiles ofDeep Impurities in Semiconductors Based on a Capacitance Measurement on an Angle-Lapped Surface
• 1p-M2-5 Au拡散SiのDLTSと欠陥(格子欠陥)
• 3a-A3-9 シリコン中の金の回復(IV)(3a A3 格子欠陥,格子欠陥)
• 30a-LG-3 シリコン中の高温置換金の回復(II)(格子欠陥)
• 30a-FA-3 シリコン中の高温置換金の回復(30a FA 格子欠陥)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク