師岡 正美 | 福岡工大工
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概要
関連著者
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師岡 正美
福岡工大工
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師岡 正美
福岡工業大学電気工学科
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師岡 正美
福岡工大
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師岡 正美
福岡工業大学
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吉田 正幸
吉田半導体研究所
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吉田 正幸
Yoshida Semiconductor Laboratory
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師岡 正美
福岡工業大学工学部電気工学科
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高橋 学
福工大
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師岡 正美
福工大
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田中 秀司
福岡工業大学
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高原 健爾
福岡工業大学
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梶原 寿了
福岡工業大学
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松尾 敬二
福岡工大
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山口 俊尚
福岡工業大学
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今村 正明
福岡工大
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松尾 敬二
福岡工業大学
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友景 肇
福大工
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友景 肇
福岡大学
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辻野 太郎
福岡工業大学
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柏崎 英徳
福岡工業大学
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池田 和生
福岡工業大学
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今村 正明
福岡工業大学
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大山 和宏
福岡工業大学工学部電気工学科
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松尾 敬二
福岡工業大
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梶原 寿了
福岡工業大学工学部電気工学科
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工藤 孝一
福岡工業大学工学部電気工学科
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武田 薫
福岡工業大学工学部電気工学科
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豊福 正治
福岡工業大学工学部電気工学科
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野口 正紀
福岡工業大学工学部電気工学科
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山根 敬久
福岡工業大学工学部電気工学科
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田中 秀司
福岡工業大学電子情報工学科
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野口 正紀
Fukuoka Institute of Technology
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田中 秀司
福岡工業大学電子材料工学科
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山根 敬久
福岡工業大学
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今村 正明
福岡工業大学電気工学科
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工藤 孝一
福岡工業大学
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工藤 孝一
福岡大学 工学部電気工学科
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野口 正紀
福岡工業大学
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豊福 正治
福岡工業大学
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大山 和宏
福岡工業大学
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時田 正彦
福岡工大
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竹田 精治
阪大理物
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松本 智
慶應義塾大学理工学研究科
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堀内 繁雄
無機材研
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竹田 精治
阪大理学研究科
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松本 智
慶応大学
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Takeda Shingo
Faculty Of Science Himeji Institute Of Technology
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堀内 繁雄
三菱ガス科学(株)総合研究所
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高橋 学
福岡工業大学電子情報工学科
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中川 元雄
阪大理
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高橋 定
九州計測器株式会社
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田中 秀司
福工大・工
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植松 真司
NTT基礎研
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高橋 学
福岡工業大学
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邵 静武
福岡工大
著作論文
- 福岡工業大学電気工学科の創成型・動機付教育を目的とした電気工学概論
- 福岡工業大学電気工学科の創成型・動機付教育を目的とした電気工学概論
- 3p-M-14 シリコン結晶中に析出した金微粒子のHRTEM観察
- シリコン中過飽和金原子の回復熱処理時濃度分布
- 28aXT-6 シリコン中のリン拡散におけるplateau,rapid fallおよびtailの形成機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 24pY-6 空孔および格子間原子機構対拡散モデルに基づくSi中のPの実効拡散係数および律速過程
- 29a-ZA-5 Si中のP拡散への酸化および窒化効果の解析
- シリコン中の金の連続回復
- ガラスを通過する熱エネルギーの測定
- Mechanism of Formation of Plateau, Rapid Fall and Tail in Phosphorus Diffusion Profile in Silicon Based on Pair Diffusion Models of Vacancy and Interstitial Mechanisms
- 27p-H-5 燐ドープシリコンのESRシグナルの温度依存性
- Fraction of Interstitialcy Component of Phosphorus Diffusion in Silicon in Intrinsic State
- 27a-N-6 シリコン中積層欠陥の金拡散による成長・肥大と収縮・消滅
- Diffusion Equation of Phosphorus in Silicon Based on the Pair Diffusion Models of Vacancy and Interstitial Mechanisms
- Study of Numerical Solution of Phosphorus Diffusion Equation in Silicon Based on the Diffuion Equation
- Comment on"Dependence of Gettering Efficiency on Metal Impurities"
- 拡がり抵抗自動測定装置によるpn接合測定
- Javaによる非線形拡散方程式(解離機構・kick-out機構)の数値解
- 27aRB-5 Si中過飽和高温置換Au回復過程で発生するAu集合体中のAu原子数分布(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 点欠陥が関与する位置交換型不純物拡散の数値解法とSi中Au拡散に対する計算例
- 28pXD-4 Si中過飽和高温置換Au回復過程でのAu集合体のSIMS観測(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 31pYG-9 Si 中低温置換金回復に関与する欠陥
- 800℃と900℃でのシリコン中金拡散の本質的相違と900℃拡散での点欠陥の寄与
- 17pTG-6 850℃上下温熱処理によるシリコン中金濃度分布の本質的相違
- 24pY-7 シリコン中過飽和置換金原子の外方拡散プロフィル
- 25p-T-2 均一核形成を伴うSi中置換金原子リング機構拡散における濃度分布
- 30a-YK-5 斜め研磨面上容量測定による半導体中不純物欠陥濃度分布の簡便測定
- 3p-M-8 欠陥が関与するSi中金拡散における律速過程
- 点欠陥が関与するSi中Au拡散数値解における各定数と境界および初期条件