友景 肇 | 福岡大学
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概要
関連著者
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友景 肇
福岡大学
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友景 肇
福大工
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小金丸 正明
福同工技セ
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宮崎 則幸
京都大学大学院工学研究科
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小金丸 正明
福岡県工業技術センター機械電子研究所
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小金丸 正明
福岡工技セ
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Miyazaki Noriyuki
Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute Komazawa Office
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池田 徹
京都大学大学院工学研究科
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池田 徹
京大
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池田 徹
京大工
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宮崎 則幸
京都大学
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宮崎 則之
京大工
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高橋 学
福工大
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吉田 正幸
吉田半導体研究所
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宮崎 則幸
京大
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宮崎 則幸
九州大学工学部化学機椀工学科
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池田 徹
京都大学
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友景 肇
福岡大学工学部電子情報工学科
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宮崎 則幸
九州大学
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友景 肇
福岡大
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宮崎 則幸
九州大学大学院工学研究院化学工学部門
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師岡 正美
福工大
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宮本 徳夫
福岡大
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吉田 圭佑
京都大学大学院工学研究科
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池田 徹
鹿児島大学大学院理工学研究科
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小金丸 正明
福岡工技センター
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植松 真司
NTT基礎研
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師岡 正美
福岡工大工
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池田 徹
京都大学 大学院工学研究科
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宮崎 則幸
京都大
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池田 徹
京都大
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上浦 洋一
岡山大院・産業創成工学
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宮崎 則幸
京大工
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安藤 寿浩
物質研
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安藤 寿浩
物材機構物質研
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安藤 寿浩
無機材質研究所先端機能性材料研究センター
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上浦 洋一
岡山大工
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小出 康智
福岡大学・学
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清田 英夫
九州東海大
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安藤 寿浩
関西大学ハイテクリサーチセンター
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宮崎 則幸
京都大学大学院工学研究科機械理工学専攻
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安藤 寿浩
無機材質研
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安藤 寿浩
無機材質研究所
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安藤 寿造
科学技術振興事業団 物資・材料研究機構 物資研究所内
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宇佐美 志郎
福岡大学
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金 亮到
福岡大学
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鶴野 怜治
九州芸工大
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鶴野 玲児
九州芸工大
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吉田 圭佑
京大院・学
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師岡 正美
福岡工業大学電気工学科
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吉田 佳佑
京都大・院
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吉田 圭佑
京都大院・学
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小森 正輝
京都大学・院
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安藤 寿浩
物質・材料研究機構
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多田 直弘
京都大学大学院工学研究科
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多田 直弘
京都大・院
著作論文
- 104 nMOSFETにおける応力効果を考慮した3次元デバイスシミュレーション(OS01.電子デバイス・電子材料と計算力学(1))
- 624 応力に起因したnMOSFETの電気特性変動デバイスシミュレーション(フリップチップ,基板,電気特性,等,OS01 電子デバイス・電子材料と計算力学)
- 4330 樹脂封止されたMOSFETの残留応力に起因した電気特性変動の評価(J05-3 実装信頼性,J05 電子情報機器,電子デバイスの熱制御と強度・信頼性評価)
- 206 樹脂封止されたデバイスの残留応力に起因した特性変動評価(OS-2B,OS-2 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
- 電子ビーム誘起電流法によるボロンドープホモエピタキシャルダイヤモンドの評価
- 24pY-6 空孔および格子間原子機構対拡散モデルに基づくSi中のPの実効拡散係数および律速過程
- 26pYL-7 Si中のPの準格子間機構1結合型移動での移動確率
- 29a-ZA-5 Si中のP拡散への酸化および窒化効果の解析
- 25p-T-7 x/√の関数としてのSi中のp拡散密度分布から求められるp実効拡散係数
- 7a-S-6 不純物-点欠陥連立拡散方程式の数値解における境界条件
- 30p-E-5 Si中のsplit-interstitial移動の図的模型
- J0103-1-2 nMOSFET内部の応力分布を考慮したデバイスDC特性変動シミュレーション(電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(1))
- 一定容量過渡電圧法を用いたMOSキャパシタ中の生成寿命測定
- 明るく未来志向でいきましょう
- 韓国 IMAPS Korea とMOU締結
- SiP基板標準化のためのSIPOS活動
- 実装技術で日本の優位性を保つためには
- 研究室訪問 : 福岡大学工学部電子情報工学科友景研究室
- ダイヤモンドをよく知るために(10)評価法(24)半導体特性の電気的評価(2)
- ダイヤモンドをよく知るために(10)評価法(24)半導体特性の電気的評価(1)
- ニュ-ロン多重方式によるパルス密度型ニュ-ロン回路の開発
- ICプロセス用簡易レ-ザ描画装置の製作
- GaAsミッドギャップ準位からの電子放出へのエッジ効果
- 公開講座「社会人を対象とした集積回路の制作実習」について
- 金を拡散したn形シリコン中で観測される深い不純物準位濃度の金濃度依存性
- 1714 1軸負荷に起因するnMOSFETの電気特性変動デバイスシミュレーション(OS17. 電子デバイス・電子材料と計算力学(3),オーガナイズドセッション講演)
- 1503 応力効果を考慮したデバイスシミュレーションによるナノデバイス(nMOSFET)特性変動評価(OS15.電子デバイス・電子材料と計算力学(1),オーガナイズドセッション)
- 717 デバイス内部の応力分布を考慮したnMOSFETのDC特性変動デバイスシミュレーション(OS4.電子デバイス・電子材料と計算力学(3),オーガナイズドセッション)
- アジアの中で生きる
- 107 デバイスシミュレーションによるnMOSFETへの一軸応力負荷の影響評価(OS1.電子デバイス・電子材料と計算力学(2),OS・一般セッション講演)