池田 徹 | 京大工
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概要
関連著者
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池田 徹
京大工
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池田 徹
京大
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Miyazaki Noriyuki
Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute Komazawa Office
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宮崎 則幸
京都大学大学院工学研究科
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池田 徹
京都大学大学院工学研究科
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宮崎 則之
京大工
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宮崎 則幸
京大
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宮崎 則幸
九州大学工学部化学機椀工学科
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宮崎 則幸
九州大学
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宮崎 則幸
九州大学大学院工学研究院化学工学部門
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池田 徹
鹿児島大学大学院理工学研究科
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宍戸 信之
京都大学大学院工学研究科
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宮崎 則幸
京都大学大学院工学研究科機械理工学専攻
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宮崎 則幸
京大工
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宮崎 則幸
京都大学大学院
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池田 徹
京都大学大学院
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小金丸 正明
福岡県工業技術センター機械電子研究所
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小金丸 正明
福同工技セ
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友景 肇
福岡大学工学部電子情報工学科
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宍戸 信之
京大院
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松本 龍介
京大工
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小金丸 正明
福岡工技セ
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宮崎 則幸
京都大学
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友景 肇
福岡大学
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野村 吉昭
(現)(株)村田制作所:京都大学・院
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吉田 圭佑
京都大学大学院工学研究科
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田中 宏之
住友ベークライト(株)
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田中 宏之
住友ベークライト生産技術研究所
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貫野 敏史
京都大学大学院工学研究科
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田中 宏之
住友ベークライト
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畑尾 卓也
住友ベークライト(株)
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畑尾 卓也
住友ベークライト (株) 基礎研究所
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池田 徹
京都大学
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池田 徹
京都大学 大学院工学研究科
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上田 真広
京都大学大学院工学研究科
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貫野 敏史
京大院
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桑原 達彦
京大院
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宍戸 信之
京大大学院
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友景 肇
福岡大
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松田 和敏
ソニーセミコンダクタ九州(株)
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畑尾 卓也
住友ベークライト(株)情報・通信材料総合研究センター評価技術研究部
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宮崎 則幸
京都大学工学研究科
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永井 政貴
京都大学大学院工学研究科
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野村 吉昭
京都大学大学院工学研究科
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野村 吉昭
京大院
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池田 徹
京都大学工学研究科
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小金丸 正明
福岡工技センター
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阿部 光利
京大院
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堀池 弘一
京大
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上田 真広
京大院
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松本 龍介
京都大学工学研究科
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松本 龍介
京都大学大学院工学研究科
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野村 吉昭
(現)(株)村田制作所
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水谷 友徳
京都大学大学院工学研究科機械理工学専攻
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三宅 清
日東電工株式会社基幹技術センター
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堀池 弘一
京都大学工学研究科
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吉田 圭佑
京大院・学
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吉田 佳佑
京都大・院
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吉田 圭佑
京都大院・学
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平井 宏
京大院
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貫野 敏史
三菱重工
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宍戸 信之
名古屋工大
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桑原 達彦
京大大学院
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小森 正輝
京都大学・院
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堀池 弘一
京大院
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野村 吉昭
村田製作所
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河原 真哉
京大
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久保田 真光
京都大学[院]
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桑原 達彦
京都大学[院]
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阿部 光利
京都大学大学院工学研究科
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多田 直弘
京都大学大学院工学研究科
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松本 龍介
京都大学
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宮崎 則幸
京都大
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池田 徹
京都大
著作論文
- 多層基板の熱変形挙動の予測およびそのパッケージの反り解析への適用
- せん断応力効果を考慮したnMOSFETの電気特性変動評価デバイスシミュレーション
- 固体状ゴム粒子変成エポキシ樹脂接着剤層中のき裂の破壊靱性値とき裂先端ひずみ分布に対する接着剤層厚さの影響
- (4)熱応力下の異方性異種材界面接合端部の特異応力場解析(論文,日本機械学会賞〔2008年度(平成20年度)審査経過報告〕)
- ドリフト拡散デバイスシミュレーションを用いた実装応力に起因するnMOSFETのDC特性変動評価手法
- LCDパネルにおける水分拡散と膨潤応力による反り解析
- 樹脂封止実装時の残留応力に起因したnMOSFETのDC特性値変動評価と電子移動度モデルに関する検討(半導体材料・デバイス)
- 熱応力下の三次元異方性異種材界面き裂の応力拡大係数解析
- 熱応力下の異方性異種材界面接合端部の特異応力場解析
- デジタル画像相関法を用いたレーザ顕微鏡観察による回路基板内部のひずみ分布計測手法
- 電子デバイス信頼性評価問題への計算力学の適用
- デジタル画像相関法を用いた電子実装部の熱ひずみ分布計測
- 1204 熱応力下の異方性異種材界面接合端部の特異応力場解析(OS12.界面と接着・接合の力学(2),ポスターセッションP-1)
- 103 レーザ走査型顕微鏡画像を用いた画像相関法によるひずみ計測の高精度化(OS01.電子デバイス・電子材料と計算力学(1))
- 104 nMOSFETにおける応力効果を考慮した3次元デバイスシミュレーション(OS01.電子デバイス・電子材料と計算力学(1))
- 陽極接合部の異種材界面はく離強度評価
- 電子実装における接着接合部の強度信頼性評価
- 実験とデバイスシミュレーションによるnMOSFETの応力に起因したDC特性変動評価(半導体材料・デバイス)
- 602 異方性異種材接合界面端部の特異性応力場解析(GS-1 き裂,応力拡大係数)
- 4330 樹脂封止されたMOSFETの残留応力に起因した電気特性変動の評価(J05-3 実装信頼性,J05 電子情報機器,電子デバイスの熱制御と強度・信頼性評価)
- デジタル画像相関法による微細実装接合部のひずみ計測
- J0103-2-3 デジタル画像相関法と有限要素解析を用いたFlip chipパッケージのはんだ接合部の熱疲労信頼性評価(電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(2))
- 分子静力学法を用いた異種結晶材料接合角部の特異応力場解析と混合モード破壊じん性値の評価
- J0103-1-2 nMOSFET内部の応力分布を考慮したデバイスDC特性変動シミュレーション(電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(1))
- 実装応力に起因する半導体デバイスの電気特性変動シミュレーション : デバイス内部の応力分布の影響評価
- 616 顕微鏡画像を用いたデジタル画像相関法による微細領域でのひずみ分布計測手法の開発(材料特性,OS01 電子デバイス・電子材料と計算力学)
- 4331 画像相関法による電子デバイス中のひずみ計測(J05-4 基板信頼性,J05 電子情報機器,電子デバイスの熱制御と強度・信頼性評価)
- 1714 1軸負荷に起因するnMOSFETの電気特性変動デバイスシミュレーション(OS17. 電子デバイス・電子材料と計算力学(3),オーガナイズドセッション講演)
- 1503 応力効果を考慮したデバイスシミュレーションによるナノデバイス(nMOSFET)特性変動評価(OS15.電子デバイス・電子材料と計算力学(1),オーガナイズドセッション)
- J0601-4-4 デジタル画像相関法を用いたひずみ計測による,電子実装部内部の非線形応力解析精度の向上([J0601-4]電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(4))
- 1604 異方性異種圧電材料接合角部近傍の特異応力場解析(OS16. 表面・薄膜・接合部の力学と信頼性評価(2),オーガナイズドセッション講演)
- 1713 ピエゾ抵抗チップとディジタル画像相関法を用いたパッケージ構成材料に起因するチップ表面の残留応力評価(OS17. 電子デバイス・電子材料と計算力学(3),オーガナイズドセッション講演)
- 1502 デジタル画像相関法によるFlip Chipパッケージ内部のひずみ測定とFEM解析精度の向上(OS15.電子デバイス・電子材料と計算力学(1),オーガナイズドセッション)
- 1501 画像ゆがみ補正を用いたAFM画像へのデジタル画像相関法の適用(OS15.電子デバイス・電子材料と計算力学(1),オーガナイズドセッション)
- 1202 分子シミュレーションによる異種結晶接合角部の応力場と破壊靱性評価(OS12.界面と接着・接合の力学(1),オーガナイズドセッション)
- 1201 圧電効果を考慮した異方性異種材界面接合端部の特異応力場解析(OS12.界面と接着・接合の力学(1),オーガナイズドセッション)
- 715 デジタル画像相関法を用いた熱サイクルをうける多層基板中のはんだバンプの非線形ひずみの計測(OS4.電子デバイス・電子材料と計算力学(3),オーガナイズドセッション)
- 704 デジタル画像相関法を用いた接着剤層中のき裂先端ひずみ場測定(OS19.界面と接着・接合の力学,オーガナイズドセッション)
- OS0419 AFM画像へのデジタル画像相関法の適用 : 面外変形の考慮と精度向上に関する検討(原子スケールモデリングとナノ・マイクロ実験力学(2))
- 723 サブミクロンゴム粒子強化エポキシ樹脂のき裂先端ひずみ場の測定(GS.A 先端材料の破壊と強度)
- 717 デバイス内部の応力分布を考慮したnMOSFETのDC特性変動デバイスシミュレーション(OS4.電子デバイス・電子材料と計算力学(3),オーガナイズドセッション)
- 703 混合モード荷重下の異種結晶材料接合端部の特異性応力場と分子静力学法を用いた転位発生限界に関する研究(OS19.界面と接着・接合の力学,オーガナイズドセッション)
- 702 熱応力下の三次元接合構造物中に存在する異方性異種材接合角部の応力拡大係数解析(OS19.界面と接着・接合の力学,オーガナイズドセッション)
- 605 デジタル画像相関法によるひずみ計測と有限要素解析による次世代三次元積層試作チップの信頼性評価(OS6-1 シリコン貫通ビア技術と強度信頼性)
- 426 デジタル画像相関法を用いた空間解像度の異なる観察系で連携した変形場評価手法の開発と多結晶金属への適用(評価・計測I,一般セッション)
- 異方性異種圧電材料接合角部近傍の特異応力場解析
- ドリフト拡散デバイスシミュレーションを用いた1軸負荷に起因するnMOSFETの電気特性変動評価手法
- 205 異方性異種圧電材料接合角部近傍の特異応力場解析(OS2.接着・接合・界面・薄膜の理論と実験および信頼性評価(1),OS・一般セッション講演)