ドリフト拡散デバイスシミュレーションを用いた実装応力に起因するnMOSFETのDC特性変動評価手法
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概要
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実装応力に起因するnMOSFETのDC特性変動を,ドリフト拡散デバイスシミュレーションにより評価する手法を検討した。応力効果をデバイスシミュレーション上で取り扱うための電子移動度モデルを検討し,実験結果との比較からその妥当性を検証した。この移動度モデルでは,応力によるSi伝導帯エネルギ変化,および伝導帯エネルギ変化によって引き起こされる電子存在確率と散乱確率の変化を考慮した。このシミュレーション手法を用いて,QFP樹脂封止にともなうnMOSFETのDC特性変動を評価した。その結果,実験で得られたドレイン電流の変動,しきい値電圧の挙動および相互コンダクタンスの変動を再現することができた。
- 社団法人エレクトロニクス実装学会の論文
- 2009-05-01
著者
-
池田 徹
京都大学大学院工学研究科
-
宮崎 則幸
京都大学大学院工学研究科
-
小金丸 正明
福岡県工業技術センター機械電子研究所
-
友景 肇
福岡大学工学部電子情報工学科
-
池田 徹
京大
-
池田 徹
京大工
-
宮崎 則幸
京大
-
宮崎 則之
京大工
-
宮崎 則幸
京都大学大学院工学研究科機械理工学専攻
-
Miyazaki Noriyuki
Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute Komazawa Office
-
宮崎 則幸
九州大学
-
宮崎 則幸
九州大学工学部化学機椀工学科
-
小金丸 正明
福同工技セ
-
宮崎 則幸
京都大学大学院
-
池田 徹
京都大学大学院
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