友景 肇 | 福岡大学工学部電子情報工学科
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概要
関連著者
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友景 肇
福岡大学工学部電子情報工学科
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小金丸 正明
福岡県工業技術センター機械電子研究所
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小金丸 正明
福同工技セ
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池田 徹
京都大学大学院工学研究科
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宮崎 則幸
京都大学大学院工学研究科
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池田 徹
京大
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Miyazaki Noriyuki
Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute Komazawa Office
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池田 徹
京大工
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宮崎 則之
京大工
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宮崎 則幸
九州大学工学部化学機椀工学科
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宮崎 則幸
京都大学大学院
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池田 徹
京都大学大学院
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小金丸 正明
福岡工技セ
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宮崎 則幸
京大
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友景 肇
福岡大学
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宮崎 則幸
京都大学
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宮崎 則幸
京都大学大学院工学研究科機械理工学専攻
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宮崎 則幸
九州大学
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川瀬 英路
ケイレックス・テクノロジー株式会社
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池田 徹
京都大学
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宮崎 則幸
九州大学大学院工学研究院化学工学部門
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吉田 圭佑
京都大学大学院工学研究科
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友景 肇
福岡大学電子情報工学科
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池田 徹
鹿児島大学大学院理工学研究科
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宮崎 則幸
京大工
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小金丸 正明
福岡工技センター
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小出 康智
福岡大学・学
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香野 淳
福岡大学理学研究科応用物理学専攻
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田尻 恭之
福岡大学理学部物理科学科
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鈴木 孝将
福岡大学工学部
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多田 直弘
京都大学大学院工学研究科
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高橋 和敏
佐賀大学シンクロ
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友景 肇
福岡大
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柳生 数馬
福岡大学工学部電子情報工学科
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栃原 浩
福岡大学工学部電子情報工学科
著作論文
- ドリフト拡散デバイスシミュレーションを用いた実装応力に起因するnMOSFETのDC特性変動評価手法
- 樹脂封止実装時の残留応力に起因したnMOSFETのDC特性値変動評価と電子移動度モデルに関する検討(半導体材料・デバイス)
- 104 nMOSFETにおける応力効果を考慮した3次元デバイスシミュレーション(OS01.電子デバイス・電子材料と計算力学(1))
- 実験とデバイスシミュレーションによるnMOSFETの応力に起因したDC特性変動評価(半導体材料・デバイス)
- 624 応力に起因したnMOSFETの電気特性変動デバイスシミュレーション(フリップチップ,基板,電気特性,等,OS01 電子デバイス・電子材料と計算力学)
- 4330 樹脂封止されたMOSFETの残留応力に起因した電気特性変動の評価(J05-3 実装信頼性,J05 電子情報機器,電子デバイスの熱制御と強度・信頼性評価)
- 206 樹脂封止されたデバイスの残留応力に起因した特性変動評価(OS-2B,OS-2 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
- 高周波SiPの設計と評価・解析技術(次世代電子機器における先端実装技術と電磁波ノイズ低減技術論文)
- 実装応力に起因する半導体デバイスの電気特性変動シミュレーション : デバイス内部の応力分布の影響評価
- 部品内蔵基板設計用データフォーマットの開発(招待講演,異種デバイス集積化/高密度実装技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
- 部品内蔵基板設計用データフォーマットの開発(招待講演,異種デバイス集積化/高密度実装技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
- 部品内蔵基板設計データフォーマットの開発(LSIと高密度実装から見た異種機能集積技術への期待と課題招待論文)
- ドリフト拡散デバイスシミュレーションを用いた1軸負荷に起因するnMOSFETの電気特性変動評価手法
- Live Together in Asia
- SiC(0001)基板に成長させたゼロ層グラフェンへの銅インターカレーション