友景 肇 | 福岡大
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概要
関連著者
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友景 肇
福岡大学
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Miyazaki Noriyuki
Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute Komazawa Office
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小金丸 正明
福同工技セ
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友景 肇
福岡大
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宮崎 則幸
京都大学大学院工学研究科
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小金丸 正明
福岡県工業技術センター機械電子研究所
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池田 徹
京大
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池田 徹
京大工
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小金丸 正明
福岡工技セ
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宮崎 則幸
京大
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宮崎 則之
京大工
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池田 徹
京都大学大学院工学研究科
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宮崎 則幸
九州大学大学院工学研究院化学工学部門
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宮崎 則幸
九州大学
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吉田 圭佑
京都大学大学院工学研究科
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宮崎 則幸
九州大学工学部化学機椀工学科
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池田 徹
鹿児島大学大学院理工学研究科
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宮崎 則幸
京都大
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池田 徹
京都大
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宮崎 則幸
京大工
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友景 肇
福岡大学工学部電子情報工学科
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宮崎 則幸
京都大学
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小金丸 正明
福岡工技センター
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宮崎 則幸
京都大学大学院工学研究科機械理工学専攻
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吉田 圭佑
京大院・学
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吉田 圭佑
京都大院・学
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多田 直弘
京都大学大学院工学研究科
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池田 徹
京都大学 大学院工学研究科
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多田 直弘
京都大・院
著作論文
- 4330 樹脂封止されたMOSFETの残留応力に起因した電気特性変動の評価(J05-3 実装信頼性,J05 電子情報機器,電子デバイスの熱制御と強度・信頼性評価)
- J0103-1-2 nMOSFET内部の応力分布を考慮したデバイスDC特性変動シミュレーション(電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(1))
- 1503 応力効果を考慮したデバイスシミュレーションによるナノデバイス(nMOSFET)特性変動評価(OS15.電子デバイス・電子材料と計算力学(1),オーガナイズドセッション)
- 107 デバイスシミュレーションによるnMOSFETへの一軸応力負荷の影響評価(OS1.電子デバイス・電子材料と計算力学(2),OS・一般セッション講演)