吉田 圭佑 | 京都大学大学院工学研究科

スポンサーリンク

概要

• 吉田 圭佑の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 京都大学大学院工学研究科の論文著者

関連著者

• 吉田 圭佑

  京都大学大学院工学研究科

• 池田 徹

  京都大学大学院工学研究科

• 小金丸 正明

  福岡県工業技術センター機械電子研究所

• 池田 徹

  京大

• 池田 徹

  京大工

• 小金丸 正明

  福同工技セ

• 宮崎 則幸

  京都大学大学院工学研究科

• 宮崎 則幸

  京大

• 宮崎 則之

  京大工

• Miyazaki Noriyuki

  Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute Komazawa Office

• 宮崎 則幸

  九州大学

• 宮崎 則幸

  九州大学工学部化学機椀工学科

• 池田 徹

  鹿児島大学大学院理工学研究科

• 宮崎 則幸

  九州大学大学院工学研究院化学工学部門

• 小金丸 正明

  福岡工技セ

• 友景 肇

  福岡大学

• 友景 肇

  福岡大学工学部電子情報工学科

• 宮崎 則幸

  京都大学

• 宮崎 則幸

  京都大学大学院工学研究科機械理工学専攻

• 池田 徹

  京都大学 大学院工学研究科

• 宮崎 則幸

  京都大学大学院

• 池田 徹

  京都大学大学院

• 友景 肇

  福岡大

• 小金丸 正明

  福岡工技センター

• 吉田 圭佑

  京大院・学

• 吉田 佳佑

  京都大・院

• 吉田 圭佑

  京都大院・学

• 多田 直弘

  京都大学大学院工学研究科

• 宮崎 則幸

  京都大

• 池田 徹

  京都大

• 池田 徹

  京都大学

もっと見る 閉じる

著作論文

• せん断応力効果を考慮したnMOSFETの電気特性変動評価デバイスシミュレーション
• J0103-1-2 nMOSFET内部の応力分布を考慮したデバイスDC特性変動シミュレーション(電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(1))
• 実装応力に起因する半導体デバイスの電気特性変動シミュレーション : デバイス内部の応力分布の影響評価
• 1714 1軸負荷に起因するnMOSFETの電気特性変動デバイスシミュレーション(OS17. 電子デバイス・電子材料と計算力学(3),オーガナイズドセッション講演)
• 1503 応力効果を考慮したデバイスシミュレーションによるナノデバイス(nMOSFET)特性変動評価(OS15.電子デバイス・電子材料と計算力学(1),オーガナイズドセッション)
• ドリフト拡散デバイスシミュレーションを用いた1軸負荷に起因するnMOSFETの電気特性変動評価手法
• ドリフト拡散デバイスシミュレーションを用いた1軸負荷に起因するnMOSFETの電気特性変動評価手法

スポンサーリンク