ドリフト拡散デバイスシミュレーションを用いた1軸負荷に起因するnMOSFETの電気特性変動評価手法
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概要
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- 2012-09-01
著者
-
池田 徹
京都大学大学院工学研究科
-
宮崎 則幸
京都大学大学院工学研究科
-
小金丸 正明
福岡県工業技術センター機械電子研究所
-
友景 肇
福岡大学工学部電子情報工学科
-
池田 徹
京大
-
池田 徹
京大工
-
宮崎 則幸
九州大学大学院工学研究院化学工学部門
-
宮崎 則幸
京大
-
宮崎 則之
京大工
-
Miyazaki Noriyuki
Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute Komazawa Office
-
宮崎 則幸
九州大学
-
吉田 圭佑
京都大学大学院工学研究科
-
宮崎 則幸
九州大学工学部化学機椀工学科
-
多田 直弘
京都大学大学院工学研究科
-
池田 徹
鹿児島大学大学院理工学研究科
-
小金丸 正明
福同工技セ
-
宮崎 則幸
京都大学大学院
-
池田 徹
京都大学大学院
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