多田 直弘 | 京都大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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多田 直弘
京都大学大学院工学研究科
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宮崎 則幸
京都大学大学院工学研究科
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九州大学大学院工学研究院化学工学部門
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Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute Komazawa Office
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著作論文
- ドリフト拡散デバイスシミュレーションを用いた1軸負荷に起因するnMOSFETの電気特性変動評価手法
- 107 デバイスシミュレーションによるnMOSFETへの一軸応力負荷の影響評価(OS1.電子デバイス・電子材料と計算力学(2),OS・一般セッション講演)
- nMOSFETにおける1軸応力の影響評価