小金丸 正明 | 福同工技セ
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概要
関連著者
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小金丸 正明
福同工技セ
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小金丸 正明
福岡県工業技術センター機械電子研究所
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池田 徹
京都大学大学院工学研究科
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宮崎 則幸
京都大学大学院工学研究科
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池田 徹
京大
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Miyazaki Noriyuki
Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute Komazawa Office
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池田 徹
京大工
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小金丸 正明
福岡工技セ
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宮崎 則之
京大工
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友景 肇
福岡大学工学部電子情報工学科
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宮崎 則幸
京大
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友景 肇
福岡大学
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宮崎 則幸
九州大学工学部化学機椀工学科
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宮崎 則幸
京都大学
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宮崎 則幸
九州大学
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池田 徹
京都大学
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吉田 圭佑
京都大学大学院工学研究科
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池田 徹
鹿児島大学大学院理工学研究科
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宮崎 則幸
京都大学大学院
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池田 徹
京都大学大学院
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宮崎 則幸
九州大学大学院工学研究院化学工学部門
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小金丸 正明
福岡工技センター
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宮崎 則幸
京都大学大学院工学研究科機械理工学専攻
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池田 徹
京都大学 大学院工学研究科
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友景 肇
福岡大
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森 栄輔
九州大学・院
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内野 正和
福岡工技セ
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小森 正輝
京都大学・院
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多田 直弘
京都大学大学院工学研究科
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宮崎 則幸
京都大
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池田 徹
京都大
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宮崎 則幸
京大工
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宮崎 則幸
九大工
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池田 徹
九大
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小出 康智
福岡大学・学
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森 栄輔
九大
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井芹 陽一
九州ミツミ(株)
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内野 正和
福岡県工業技術センター 機械電子研究所
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宮崎 則幸
九大・工
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吉田 圭佑
京大院・学
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吉田 佳佑
京都大・院
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吉田 圭佑
京都大院・学
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多田 直弘
京都大・院
著作論文
- せん断応力効果を考慮したnMOSFETの電気特性変動評価デバイスシミュレーション
- ドリフト拡散デバイスシミュレーションを用いた実装応力に起因するnMOSFETのDC特性変動評価手法
- 樹脂封止実装時の残留応力に起因したnMOSFETのDC特性値変動評価と電子移動度モデルに関する検討(半導体材料・デバイス)
- 104 nMOSFETにおける応力効果を考慮した3次元デバイスシミュレーション(OS01.電子デバイス・電子材料と計算力学(1))
- 実験とデバイスシミュレーションによるnMOSFETの応力に起因したDC特性変動評価(半導体材料・デバイス)
- 有限要素法応力解析とデバイスシミュレーションによる実装応力に起因したnMOSFETのDC特性変動評価
- 624 応力に起因したnMOSFETの電気特性変動デバイスシミュレーション(フリップチップ,基板,電気特性,等,OS01 電子デバイス・電子材料と計算力学)
- 4330 樹脂封止されたMOSFETの残留応力に起因した電気特性変動の評価(J05-3 実装信頼性,J05 電子情報機器,電子デバイスの熱制御と強度・信頼性評価)
- ピエゾ抵抗テストチップと有限要素法解析を用いた樹脂封止に起因する半導体チップ表面の残留応力評価
- 206 樹脂封止されたデバイスの残留応力に起因した特性変動評価(OS-2B,OS-2 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
- 樹脂封止されたICチップ表面の残留応力評価(OS1b 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
- デジタル画像相関法によるひずみ分布計測(2) : 計測システムの検証と応用計測(G03-6 実験計測(2),G03 材料力学)
- 746 ベアチップ実装における半導体チップの残留応力評価
- J0103-1-2 nMOSFET内部の応力分布を考慮したデバイスDC特性変動シミュレーション(電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(1))
- 実装応力に起因する半導体デバイスの電気特性変動シミュレーション : デバイス内部の応力分布の影響評価
- 1714 1軸負荷に起因するnMOSFETの電気特性変動デバイスシミュレーション(OS17. 電子デバイス・電子材料と計算力学(3),オーガナイズドセッション講演)
- 1503 応力効果を考慮したデバイスシミュレーションによるナノデバイス(nMOSFET)特性変動評価(OS15.電子デバイス・電子材料と計算力学(1),オーガナイズドセッション)
- 717 デバイス内部の応力分布を考慮したnMOSFETのDC特性変動デバイスシミュレーション(OS4.電子デバイス・電子材料と計算力学(3),オーガナイズドセッション)
- ドリフト拡散デバイスシミュレーションを用いた1軸負荷に起因するnMOSFETの電気特性変動評価手法
- 107 デバイスシミュレーションによるnMOSFETへの一軸応力負荷の影響評価(OS1.電子デバイス・電子材料と計算力学(2),OS・一般セッション講演)