J0103-1-2 nMOSFET内部の応力分布を考慮したデバイスDC特性変動シミュレーション(電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(1))
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概要
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The effects of stress on the DC characteristics of n-type Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (nMOSFETs) were evaluated by mechanical stress simulation and drift-diffusion device simulation (multi-physics simulation). The simulation focused on the impact of the stress distribution in the nMOSFETs. From the simulation results, it was demonstrated that the stress distribution in the device affected the DC characteristics of the device.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2009-09-12
著者
-
池田 徹
京都大学大学院工学研究科
-
宮崎 則幸
京都大学大学院工学研究科
-
小金丸 正明
福岡県工業技術センター機械電子研究所
-
池田 徹
京大
-
池田 徹
京大工
-
小金丸 正明
福岡工技セ
-
宮崎 則幸
京大
-
友景 肇
福岡大学
-
小金丸 正明
福岡工技センター
-
宮崎 則之
京大工
-
宮崎 則幸
京都大学大学院工学研究科機械理工学専攻
-
吉田 圭佑
京大院・学
-
Miyazaki Noriyuki
Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute Komazawa Office
-
宮崎 則幸
九州大学
-
吉田 圭佑
京都大学大学院工学研究科
-
宮崎 則幸
九州大学工学部化学機椀工学科
-
小金丸 正明
福同工技セ
-
友景 肇
福岡大
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