はんだリフロー時における電子パッケージ内部でのはく離発生予測評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- エレクトロニクス実装学会の論文
- 2007-09-13
著者
-
池田 徹
京都大学大学院工学研究科
-
宮崎 則幸
京都大学大学院工学研究科
-
池田 徹
京大
-
Miyazaki Noriyuki
Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute Komazawa Office
-
宮崎 則幸
九州大学工学部化学機椀工学科
関連論文
- 多層基板の熱変形挙動の予測およびそのパッケージの反り解析への適用
- 101 LN単結晶の割れに圧電効果が及ぼす影響(OS01.電子デバイス・電子材料と計算力学(1))
- フッ化カルシウム単結晶アニール後の複屈折シミュレーション--クリープ挙動を考慮した残留応力による解析
- 鈍化き裂まわりの非定常な水素拡散 : 弾塑性連成解析
- α鉄における{112}刃状転位芯近傍の水素占有位置に関する原子モデルを用いた研究 (特集 分子動力学)
- 2713 き裂に繰り返し負荷が作用するときの非定常水素拡散解析(OS27.一般セッション(2),ポスターセッションP-5)
- 801 水素と転位の相互作用がbcc鉄単結晶中のモードIき裂進展に与える影響の検討(OS08.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(1))
- 809 第一原理計算によるFeとFe-H系の基本物性と原子間ポテンシャルの評価(OS08.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(3))
- 607 分子動力学法による水素がα鉄中のき裂進展挙動に与える影響の検討(GS-1 分子動力学法,粒子法)
- 粒界特性が水素拡散に与える影響の原子モデルによる検討
- 計算力学解析手法の水素脆化評価への適用
- 820 J積分を用いたナノ結晶分散金属ガラス中のせん断帯伝ぱ抵抗の評価(OS08.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(5))
- ハイブリッドポテンシャル法を用いた鉄ナノ多結晶体中のき裂進展挙動の分子動力学解析
- ハイブリッドポテンシャル法を用いた鉄単結晶体中のき裂進展挙動の分子動力学解析
- 601 有限要素法によるき裂まわりの応力 : 水素拡散シミュレーション(GS-1 き裂,応力拡大係数)
- 605 分子動力学法による金属ガラス中のせん断帯伝ぱ挙動に与えるナノ結晶粒子の影響の検討(GS-1 分子動力学法,粒子法)
- ナノ結晶分散アモルファス金属の力学特性 : 分子動力学法を用いた結晶粒子配置の影響と最大強度に関する検討
- せん断応力効果を考慮したnMOSFETの電気特性変動評価デバイスシミュレーション
- 固体状ゴム粒子変成エポキシ樹脂接着剤層中のき裂の破壊靱性値とき裂先端ひずみ分布に対する接着剤層厚さの影響
- (4)熱応力下の異方性異種材界面接合端部の特異応力場解析(論文,日本機械学会賞〔2008年度(平成20年度)審査経過報告〕)
- ドリフト拡散デバイスシミュレーションを用いた実装応力に起因するnMOSFETのDC特性変動評価手法
- LCDパネルにおける水分拡散と膨潤応力による反り解析
- 樹脂封止実装時の残留応力に起因したnMOSFETのDC特性値変動評価と電子移動度モデルに関する検討(半導体材料・デバイス)
- 熱応力下の三次元異方性異種材界面き裂の応力拡大係数解析
- 熱応力下の異方性異種材界面接合端部の特異応力場解析
- デジタル画像相関法を用いたレーザ顕微鏡観察による回路基板内部のひずみ分布計測手法
- 電子デバイス信頼性評価問題への計算力学の適用
- デジタル画像相関法を用いた電子実装部の熱ひずみ分布計測
- 1204 熱応力下の異方性異種材界面接合端部の特異応力場解析(OS12.界面と接着・接合の力学(2),ポスターセッションP-1)
- 103 レーザ走査型顕微鏡画像を用いた画像相関法によるひずみ計測の高精度化(OS01.電子デバイス・電子材料と計算力学(1))
- 104 nMOSFETにおける応力効果を考慮した3次元デバイスシミュレーション(OS01.電子デバイス・電子材料と計算力学(1))
- 陽極接合部の異種材界面はく離強度評価
- 電子実装における接着接合部の強度信頼性評価
- 実験とデバイスシミュレーションによるnMOSFETの応力に起因したDC特性変動評価(半導体材料・デバイス)
- 602 異方性異種材接合界面端部の特異性応力場解析(GS-1 き裂,応力拡大係数)
- はんだリフロー時における電子パッケージ内部でのはく離発生予測評価
- 四面体有限要素を用いた三次元界面き裂の応力拡大係数解析手法の開発
- 三次元異方性異種材界面き裂の応力拡大係数解析
- 熱応力下の異方性異種材界面き裂の応力拡大係数解析
- フッ化カルシウム単結晶アニール後の複屈折シミュレーション : クリープ挙動を考慮した残留応力による解析
- MgF_2単結晶アニール後の複屈折シミュレーション(マクロ分子の関与する結晶成長)
- 624 応力に起因したnMOSFETの電気特性変動デバイスシミュレーション(フリップチップ,基板,電気特性,等,OS01 電子デバイス・電子材料と計算力学)
- ピエゾ抵抗テストチップと有限要素法解析を用いた樹脂封止に起因する半導体チップ表面の残留応力評価
- 206 樹脂封止されたデバイスの残留応力に起因した特性変動評価(OS-2B,OS-2 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
- 樹脂封止されたICチップ表面の残留応力評価(OS1b 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
- デジタル画像相関法によるひずみ分布計測(2) : 計測システムの検証と応用計測(G03-6 実験計測(2),G03 材料力学)
- デジタル画像相関法による微細実装接合部のひずみ計測
- J0103-2-3 デジタル画像相関法と有限要素解析を用いたFlip chipパッケージのはんだ接合部の熱疲労信頼性評価(電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(2))
- 接着接合による微細バンプ接続構造の信頼性評価(信頼性解析技術基礎講座第2回)
- 異方性導電樹脂接合型フリップチップの吸湿リフロー試験時のはく離予測解析
- 分子静力学法を用いた異種結晶材料接合角部の特異応力場解析と混合モード破壊じん性値の評価
- J0103-1-2 nMOSFET内部の応力分布を考慮したデバイスDC特性変動シミュレーション(電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(1))
- 実装応力に起因する半導体デバイスの電気特性変動シミュレーション : デバイス内部の応力分布の影響評価
- CaF_2単結晶アニール後の複屈折シミュレーション(材料物性から見たフッ化物・酸化物単結晶の育成技術)
- 1701 ArFエキシマレーザー光源用フッ化カルシウム単結晶チャンバウィンドウの使用環境下における複屈折解析(OS17. 電子デバイス・電子材料と計算力学(1),オーガナイズドセッション講演)
- 1714 1軸負荷に起因するnMOSFETの電気特性変動デバイスシミュレーション(OS17. 電子デバイス・電子材料と計算力学(3),オーガナイズドセッション講演)
- 1503 応力効果を考慮したデバイスシミュレーションによるナノデバイス(nMOSFET)特性変動評価(OS15.電子デバイス・電子材料と計算力学(1),オーガナイズドセッション)
- J0601-4-4 デジタル画像相関法を用いたひずみ計測による,電子実装部内部の非線形応力解析精度の向上([J0601-4]電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(4))
- 114 Phase-field法を用いたステンレス鋼のマルテンサイト変態下での水素拡散解析(OS16.フェーズフィールド法とその応用(2),オーガナイズドセッション)
- 1027 水素ガス環境におけるFe, Fe-C, Fe-N系の粒界凝集エネルギーの第一原理計算(OS10. 電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価,OS11. 材料の組織・強度に関するマルチスケールアナリシス 合同ポスターセッション,オーガナイズドセッション講演)
- 1013 水素ガス環境下のα鉄における粒界凝集エネルギーに関する電子・原子シミュレーション(OS10.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(3:粒界),オーガナイズドセッション)
- 232 原子モデルを用いた粒界特性と水素トラップ量の関係の検討(OS15.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(9),オーガナイズドセッション)
- 1604 異方性異種圧電材料接合角部近傍の特異応力場解析(OS16. 表面・薄膜・接合部の力学と信頼性評価(2),オーガナイズドセッション講演)
- 1713 ピエゾ抵抗チップとディジタル画像相関法を用いたパッケージ構成材料に起因するチップ表面の残留応力評価(OS17. 電子デバイス・電子材料と計算力学(3),オーガナイズドセッション講演)
- 1502 デジタル画像相関法によるFlip Chipパッケージ内部のひずみ測定とFEM解析精度の向上(OS15.電子デバイス・電子材料と計算力学(1),オーガナイズドセッション)
- 1501 画像ゆがみ補正を用いたAFM画像へのデジタル画像相関法の適用(OS15.電子デバイス・電子材料と計算力学(1),オーガナイズドセッション)
- 1202 分子シミュレーションによる異種結晶接合角部の応力場と破壊靱性評価(OS12.界面と接着・接合の力学(1),オーガナイズドセッション)
- 1201 圧電効果を考慮した異方性異種材界面接合端部の特異応力場解析(OS12.界面と接着・接合の力学(1),オーガナイズドセッション)
- 1516 任意方向育成フッ化カルシウム単結晶のアニール後の複屈折解析 : クリープ挙動を考慮した解析(OS15.電子デバイス・電子材料と計算力学(4),オーガナイズドセッション)
- 715 デジタル画像相関法を用いた熱サイクルをうける多層基板中のはんだバンプの非線形ひずみの計測(OS4.電子デバイス・電子材料と計算力学(3),オーガナイズドセッション)
- 704 デジタル画像相関法を用いた接着剤層中のき裂先端ひずみ場測定(OS19.界面と接着・接合の力学,オーガナイズドセッション)
- 1026 第一原理計算に基づくAl中の水素分布の評価(OS10. 電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価,OS11. 材料の組織・強度に関するマルチスケールアナリシス 合同ポスターセッション,オーガナイズドセッション講演)
- 231 第一原理計算と原子間ポテンシャルを用いた応力特異点まわりの水素トラップエネルギー分布の評価(OS15.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(9),オーガナイズドセッション)
- 717 デバイス内部の応力分布を考慮したnMOSFETのDC特性変動デバイスシミュレーション(OS4.電子デバイス・電子材料と計算力学(3),オーガナイズドセッション)
- 703 混合モード荷重下の異種結晶材料接合端部の特異性応力場と分子静力学法を用いた転位発生限界に関する研究(OS19.界面と接着・接合の力学,オーガナイズドセッション)
- 702 熱応力下の三次元接合構造物中に存在する異方性異種材接合角部の応力拡大係数解析(OS19.界面と接着・接合の力学,オーガナイズドセッション)
- 705 フッ化マグネシウム単結晶アニール後の複屈折解析(OS4.電子デバイス・電子材料と計算力学(1),オーガナイズドセッション)
- 1010 α鉄における水素助長ひずみ誘起空孔機構に関する検討(OS10. 電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(2),オーガナイズドセッション講演)
- 903 フェーズフィールド法を用いたき裂まわりの相変態を伴う水素拡散解析(OS9. フェーズフィールド法とその応用(1),オーガナイズドセッション講演)
- 2405 有限要素法を用いたき裂を含む内圧負荷円筒の水素拡散解析(OS24.一般セッション(1),オーガナイズドセッション)
- 1019 第一原理計算に基づく水素ガス環境下におけるAl中の格子欠陥まわりの水素占有率の評価(OS10.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(4:格子欠陥・析出物),オーガナイズドセッション)
- 1017 水素がα-Fe中の空孔濃度に及ぼす影響に関する原子モデル解析(OS10.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(4:格子欠陥・析出物),オーガナイズドセッション)
- 1008 金属ガラス中のせん断帯の生成・成長挙動に関するモデル解析(OS10.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(2:局所性),オーガナイズドセッション)
- 1001 α鉄における刃状転位芯近傍の水素拡散障壁に関する検討(OS10.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価,オーガナイズドセッション)
- F4-5 原子モデルを用いた格子欠陥への水素のトラップ状態に関する検討(F-4 水素脆化研究の新展開(シミュレーションと実験との対話),フォーラム)
- 605 デジタル画像相関法によるひずみ計測と有限要素解析による次世代三次元積層試作チップの信頼性評価(OS6-1 シリコン貫通ビア技術と強度信頼性)
- CaF_2単結晶アニール後の複屈折シミュレーション
- 027 α鉄中の刃状転位の運動速度に及ぼす水素濃度の影響に関する原子モデルを用いた検討(GS4-1 一般セッション)
- 延性接着剤を用いた接着継手の破壊靱性値
- 異方性異種圧電材料接合角部近傍の特異応力場解析
- LT単結晶の熱応力負荷割れ
- 機械学会における電子実装の信頼性と熱制御に関する研究分科会活動について
- 426 デジタル画像相関法を用いた空間解像度の異なる観察系で連携した変形場評価手法の開発と多結晶金属への適用(評価・計測I,一般セッション)
- 異方性異種圧電材料接合角部近傍の特異応力場解析
- パッケージ構成材料に起因するチップ表面の残留応力と反り評価
- 擬似的に水素の影響を考慮した鉄ＥＡＭポテンシャルの作成と水素ぜい化の分子動力学シミュレーション
- デジタル画像相関法を用いた電子実装部の熱ひずみ分布計測
- ドリフト拡散デバイスシミュレーションを用いた1軸負荷に起因するnMOSFETの電気特性変動評価手法
- α鉄における ｛１１２｝ 〈１１１〉 刃状転位芯近傍の水素占有位置に関する原子モデルを用いた研究
- Evaluation Method of Electronic Characteristic Changes of Stress-Induced Multilayer Chip in Resin-Molded Electronic Packages