624 応力に起因したnMOSFETの電気特性変動デバイスシミュレーション(フリップチップ,基板,電気特性,等,OS01 電子デバイス・電子材料と計算力学)

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概要

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• 社団法人日本機械学会の論文
• 2006-11-02

著者

• 池田 徹

  京都大学大学院工学研究科

• 宮崎 則幸

  京都大学大学院工学研究科

• 小金丸 正明

  福岡県工業技術センター機械電子研究所

• 友景 肇

  福岡大学工学部電子情報工学科

• 池田 徹

  京大

• 小金丸 正明

  福岡工技セ

• 宮崎 則幸

  京都大学

• 友景 肇

  福岡大学

• Miyazaki Noriyuki

  Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute Komazawa Office

• 小金丸 正明

  福同工技セ

• 池田 徹

  京都大学

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